Low-offset NpN InP-GaAsSb-InP double heterojunction bipolar transistors with abrupt interfaces and ballistically launched collector electrons
Notice bibliographique
Résumé
We have developed MOCVD-grown, C-doped, abrupt heterojunction InP-GaAsSb-InP DHBTs which feature a very small V/sub CE/ offset voltage <0.1 V and a low turn-on voltage (J/sub c/=1 A/cm/sup 2/) at V/sub BE/=0.3 V, by taking advantage of the staggered band line-up at InP-GaAsSb interfaces: the GaAsSb conduction band sits above the InP conduction band, eliminating any possibility of current blocking at the B-C junction; instead, the GaAsSb base injects electrons ballistically (with ΔE/sub C/=0.1-0.3 eV) into the widegap InP collector when they travel with a high saturated drift velocity and low rates of impact ionization. One of the fundamental advantages of InP-GaAsSb-InP DHBTs is that they can be implemented without compositional grading and with nominally abrupt interfaces: the turn-on and offset voltages are therefore determined by the band line-ups, doping, and junction areas. They are not altered by the effectiveness of compositional grading or pulse doping schemes that are intended to eliminate conduction-band spikes and barriers. Other important advantages of MOCVD-grown GaAsSb bases are that they can be C-doped to 10/sup 20/ cm/sup -3/ without H-passivation effects, and that the low p-type Schottky barrier heights on antimonide compounds lead to low resistance base ohmic contacts, with measured base contact resistances lower than 10/sup -7/ Ωcm/sup -2/. Our DHBT prototypes display a base current ideality factor of n/sub B/=1.1 and a current gain of 15. The fabrication of InP-GaAsSb-InP DHBTs is presented, with particular attention to the growth details and their impact on device performance.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,004 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».