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Enregistrement W1558727401 · doi:10.1109/drc.1998.731108

Low-offset NpN InP-GaAsSb-InP double heterojunction bipolar transistors with abrupt interfaces and ballistically launched collector electrons

2002· article· en· W1558727401 sur OpenAlexaff
C. R. Bolognesi, N. Matine, Xiangang Xu, Jonathan Hu, M.W. Dvorak, S. P. Watkins, M. L. W. Thewalt

Notice bibliographique

Revuenon disponible
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueSemiconductor Quantum Structures and Devices
Établissements canadiensSimon Fraser University
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésOptoelectronicsMaterials scienceDopingHeterojunctionOhmic contactAntimonideBipolar junction transistorBand offsetMetalorganic vapour phase epitaxyHeterojunction bipolar transistorBand gapQuantum tunnellingSchottky barrierIndium gallium arsenideGallium arsenideTransistorEpitaxyVoltageElectrical engineeringValence bandNanotechnologyDiode

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

We have developed MOCVD-grown, C-doped, abrupt heterojunction InP-GaAsSb-InP DHBTs which feature a very small V/sub CE/ offset voltage <0.1 V and a low turn-on voltage (J/sub c/=1 A/cm/sup 2/) at V/sub BE/=0.3 V, by taking advantage of the staggered band line-up at InP-GaAsSb interfaces: the GaAsSb conduction band sits above the InP conduction band, eliminating any possibility of current blocking at the B-C junction; instead, the GaAsSb base injects electrons ballistically (with ΔE/sub C/=0.1-0.3 eV) into the widegap InP collector when they travel with a high saturated drift velocity and low rates of impact ionization. One of the fundamental advantages of InP-GaAsSb-InP DHBTs is that they can be implemented without compositional grading and with nominally abrupt interfaces: the turn-on and offset voltages are therefore determined by the band line-ups, doping, and junction areas. They are not altered by the effectiveness of compositional grading or pulse doping schemes that are intended to eliminate conduction-band spikes and barriers. Other important advantages of MOCVD-grown GaAsSb bases are that they can be C-doped to 10/sup 20/ cm/sup -3/ without H-passivation effects, and that the low p-type Schottky barrier heights on antimonide compounds lead to low resistance base ohmic contacts, with measured base contact resistances lower than 10/sup -7/ Ωcm/sup -2/. Our DHBT prototypes display a base current ideality factor of n/sub B/=1.1 and a current gain of 15. The fabrication of InP-GaAsSb-InP DHBTs is presented, with particular attention to the growth details and their impact on device performance.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesCharge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,252
Score d'incertitude au seuil0,997

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0040,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,012
Tête enseignante GPT0,208
Écart entre enseignants0,197 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations2
Publié2002
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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