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Enregistrement W1972386096 · doi:10.1080/10408430590952523

Electrical Scanning Probe Microscopy: Investigating the Inner Workings of Electronic and Optoelectronic Devices

2005· article· en· W1972386096 sur OpenAlexaff
Scott B. Kuntze, Dayan Ban, Edward H. Sargent, St. J. Dixon-Warren, John White, Karin Hinzer

Notice bibliographique

RevueCritical reviews in solid state and materials sciences/CRC critical reviews in solid state and materials sciences · 2005
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueForce Microscopy Techniques and Applications
Établissements canadiensInuit Tapiriit KanatamiChipworks (Canada)Institute for Microstructural SciencesUniversity of Toronto
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésOptoelectronicsMaterials scienceLaserHeterojunctionTransistorCapacitanceSemiconductorSemiconductor laser theoryDiodeSemiconductor deviceEquivalent series resistanceVoltageNanotechnologyOpticsElectrical engineeringPhysicsElectrodeEngineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Semiconductor electronic and optoelectronic devices such as transistors, lasers, modulators, and detectors are critical to the contemporary computing and communications infrastructure. These devices have been optimized for efficiency in power consumption and speed of response. There are gaps in the detailed understanding of the internal operation of these devices. Experimental electrical and optical methods have allowed comprehensive elaboration of input–output characteristics, but do not give spatially resolved information about currents, carriers, and potentials on the nanometer scale relevant to quantum heterostructure device operation. In response, electrical scanning probe techniques have been developed and deployed to observe experimentally, with nanometric spatial resolution, two-dimensional profiles of the electrical resistance, capacitance, potential, and free carrier distribution, within actively driven devices. Experimental configurations for the most prevalent electrical probing techniques based on atomic force microscopy are illustrated with considerations for practical implementation. Interpretation of the measured quantities are presented and calibrated, demonstrating that internal quantities of device operation can be uncovered. Several application areas are examined: spreading resistance and capacitance characterization of free carriers in III-V device structures; acquisition of electric potential and field distributions of semiconductor lasers, nanocrystals, and thin films; scanning voltage analysis on diode lasers—the direct observation of the internal manifestations of current blocking breakdown in a buried heterostructure laser, the effect of current spreading inside actively biased ridge waveguide lasers, anomalously high series resistance encountered in ridge lasers—as well as in CMOS transistors; and free-carrier measurement of working lasers with scanning differential spreading techniques. Applications to emerging fields of nanotechnology and nanoelectronics are suggested.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,001
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Sans objet · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Synthèse · Signal consensuel: aucune
Score de désaccord entre enseignants0,002
Score d'incertitude au seuil0,006

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,001
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0010,001
Études des sciences et des technologies0,0000,001
Communication savante0,0010,002
Science ouverte0,0010,001
Intégrité de la recherche0,0010,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0020,001

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,032
Tête enseignante GPT0,392
Écart entre enseignants0,360 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeSans objet
Domainenon disponible
GenreSynthèse

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations30
Publié2005
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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