MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W1976143363 · doi:10.1109/tdmr.2012.2187901

Investigation of the High-Temperature Operation of AlGaN/GaN HFETs via Studying the Impact of Temperature Dependency of Drift Transport Characteristics

2012· article· en· W1976143363 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueIEEE Transactions on Device and Materials Reliability · 2012
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueGaN-based semiconductor devices and materials
Établissements canadiensConcordia University
Organismes subventionnairesCMC Microsystems
Mots-clésMaterials scienceGallium nitrideVelocity overshootReliability (semiconductor)Drift velocityOptoelectronicsVoltageElectric fieldAtmospheric temperature rangeTemperature measurementMonte Carlo methodWide-bandgap semiconductorPower (physics)Electrical engineeringThermodynamicsNanotechnologyPhysicsEngineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Investigation of the reliable operation of AlGaN/GaN HFETs at elevated temperatures is attempted. In this paper, a Monte Carlo-based temperature-dependent mobility model, with incorporation of steady-state velocity overshoot, is employed in modeling the drain current-voltage characteristics of AlGaN/GaN HFETs at 300, 400, and 500 K. One of the major merits of this model is that it employs a very small set of fitting parameters. The modeled drain current-voltage characteristics have been successfully matched to the experimental characteristics at the aforementioned temperatures. While confirming that a brief measurement at these temperatures is of no reliability concern on the quality of the metal-semiconductor contacts, this matching proves that the temperature dependency of the electron drift velocity is the cause of the degradation of drain current within the aforementioned range of temperature. In producing the aforementioned match for the long-gate AlGaN/GaN HFETs, it is also shown that the accurate modeling of the temperature dependency of the low-field drift transport is more consequential than the accurate representation of the transport in the medium-to-high electric fields.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,001
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,104
Score d'incertitude au seuil0,519

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0010,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,013
Tête enseignante GPT0,244
Écart entre enseignants0,231 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle