Positron annihilation study of defects in boron implanted silicon
Notice bibliographique
Résumé
Defects and their annealing behavior in boron implanted silicon have been studied using positron annihilation spectroscopy (PAS), ion channeling, nuclear reaction analysis, and transmission electron microscopy. Silicon wafers were implanted with 80 keV boron ions to fluences from 1012 to 1015 cm−2. Furnace annealing or rapid thermal annealing (RTA) of the implanted Si samples was conducted to temperatures in the range 750–950 °C in a N2 ambient. For as-implanted samples, the defect profiles extracted from PAS spectra were found to extend beyond the implanted boron distribution given by TRIM calculations. The Sdefect/Sbulk values increased monotonically with increasing boron fluences. For boron fluences ⩾1013 cm−2,Sdefect/Sbulk was found to be >1.04 (the characteristic value for divacancy), while Sdefect/Sbulk was found to be <1.04 for a boron fluence of 1012 cm−2. After annealing at 750 °C, all B-implanted samples had similar S-parameter values in the near-surface region, while in the deep region the S values for high B fluences (φ⩾1014 cm−2) were found to be lower than those for low B fluences (φ⩽1013 cm−2). Annealing at 950 °C did not change the S-parameter data for the lowest boron fluence (1012 cm−2), but caused a slight increase of the S parameters in the deep region for other boron fluences. RTA at 750 °C shows that major defects in B-implanted Si are annealed out within the first 3 s. An interesting transient annealing behavior is observed in which the S value decreases in the initial annealing stage, and then increases to a saturating value after prolonged annealing. Possible effects of electric fields resulting from the electrical activation of implanted boron on the behavior of positron annihilation line shapes after annealing are discussed.
Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.
Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».