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Enregistrement W1981188623 · doi:10.1063/1.4817667

Control of the Ge nanocrystal synthesis by co-implantation of Si+

2013· article· en· W1981188623 sur OpenAlexafffund
David Barba, Julien Demarche, F. Martín, G. Terwagne, J.R.H. Ross

Notice bibliographique

RevueJournal of Applied Physics · 2013
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueSilicon Nanostructures and Photoluminescence
Établissements canadiensInstitut National de la Recherche Scientifique
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésAnnealing (glass)GermaniumMaterials scienceNucleationFluenceRaman spectroscopyNanocrystalAnalytical Chemistry (journal)Ion implantationSiliconCrystallographyNanotechnologyChemistryOptoelectronicsMetallurgy

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

The synthesis of Ge nanocrystals (Ge-nc) prepared by 74Ge+ implantation into fused silica followed by co-implantation of Si+ has been investigated for annealing temperatures varying between 850 and 1150 °C. By limiting the thermal diffusion of Ge, co-implanting Si reduces the Ge desorption and affects the growth of Ge-nc, through a Ge trapping mechanism involving the formation of Ge-Si chemical bonds. This is supported by Raman analysis, providing information regarding the material composition for a large variety of fabrication parameters, as well as high resolution scanning electron microscopy imaging, indicating that the average dimension of the synthesized Ge-nc decreases for increasing doses of co-implanted Si. From the spectral analysis of Raman measurements, a systematic evolution of the Ge-Ge, Ge-Si, and Si-Si bond concentrations is characterized as a function of the co-implantation fluences. Two different regimes are clearly identified for each annealing temperature. The first is associated with a linear increase of the residual Ge content with respect to the co-implanted Si, having a slope of ∼1, independent of the annealing temperature. Here, the nucleation of pure Ge-nc and Ge-nc containing Si impurities occurs at similar rates, for co-implanted Si fluences generally lower than the dose of implanted Ge. The second regime occurs for greater co-implantation fluence thresholds that depend on the annealing temperature. It is related to the saturation of the Ge trapping efficiency. In this regime, the formation of Si-Ge bonds dominates, sufficiently reducing the diffusion of Ge to prevent the formation of pure Ge-nc. In addition to limiting the unwanted and critical Ge desorption effects, Si co-implantation is a promising technique for precisely controlling the Ge-nc density, diameter, and uniformity at nanoscale dimensions, parameters which cannot be solely set from the local Ge concentration and/or the annealing parameters due to the high thermal diffusivity of Ge.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,002
Score d'incertitude au seuil0,216

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,005
Tête enseignante GPT0,206
Écart entre enseignants0,201 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations10
Publié2013
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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