Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al2O3
Pourquoi ce travail est-il dans la base ?
Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.
Aucune affiliation canadienne. Une base fondée sur la seule affiliation (le devis habituel) n'aurait jamais vu ce travail. C'est l'un des travaux qui justifient l'inversion de la base.
Résumé
Excellent surface passivation of c-Si has been achieved by Al2O3 films prepared by plasma-assisted atomic layer deposition, yielding effective surface recombination velocities of 2 and 13cm∕s on low resistivity n- and p-type c-Si, respectively. These results obtained for ∼30nm thick Al2O3 films are comparable to state-of-the-art results when employing thermal oxide as used in record-efficiency c-Si solar cells. A 7nm thin Al2O3 film still yields an effective surface recombination velocity of 5cm∕s on n-type silicon.
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La notice
- Revue
- Applied Physics Letters
- Thématique
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Domaine
- Engineering
- Établissements canadiens
- —
- Organismes subventionnaires
- Institute of Gender and HealthStichting voor de Technische WetenschappenKoninklijke Nederlandse Akademie van Wetenschappen
- Mots-clés
- PassivationMaterials scienceRecombinationLayer (electronics)Atomic layer depositionPlasmaSiliconDeposition (geology)Carrier lifetimeOxideAnalytical Chemistry (journal)OptoelectronicsNanotechnologyChemistryMetallurgy
- Résumé présent dans OpenAlex
- oui