Molecular Modulation of Conductivity on H‐Terminated Silicon‐On‐Insulator Substrates
Notice bibliographique
Résumé
The adsorption of a range of molecular species (water, pyridine, and ammonia) is found to reversibly modulate the conductivity of hydrogen-terminated silicon-on-insulator (H-SOI) substrates. Simultaneous sheet-resistance and Hall-effect measurements on moderately doped (10(15) cm(-3)) n- and p-type H-SOI samples mounted in a vacuum system are used to monitor the effect of gas exposure in the Torr range on the electrical-transport properties of these substrates. Reversible physisorption of "hole-trapping" species, such as pyridine (C(5)H(5)N) and ammonia (NH(3)) produces highly conductive minority-carrier channels (inversion) on p-type substrates, mimicking the action of a metallic gate in a field-effect transistor. The adsorption of these same molecules on n-type SOI induces strong electron-accumulation layers. Minority/majority channels are also formed upon controlled exposure to water vapor. These observations can be explained by a classical band-bending model, which considers the adsorbates as the source of a uniform surface charge ranging from +10(11) to +10(12)q cm(-2). These results demonstrate the utility of DC transport measurements of SOI platforms for studies of molecular adsorption and charge-transfer effects at semiconductor surfaces.
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Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
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machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
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