Structure and transformation of the metastable boron- and oxygen-related defect center in crystalline silicon
Pourquoi ce travail est-il dans la base ?
Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.
Aucune affiliation canadienne. Une base fondée sur la seule affiliation (le devis habituel) n'aurait jamais vu ce travail. C'est l'un des travaux qui justifient l'inversion de la base.
Scores machine (provisoires)
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
- Écart entre enseignants
- 0,215 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
- Statut de validation
score_only:v0-immature-baseline· tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle
Résumé
We analyze the core structure of the carrier-lifetime-reducing boron- and oxygen-related metastable defect center in crystalline silicon by measuring the correlation of the defect concentration with the boron and the oxygen contents on a large number of different silicon materials. The experimental results indicate that the defect is composed of one substitutional boron and two interstitial oxygen atoms. Formation and annihilation of the metastable boron-oxygen complex are found to be thermally activated processes, characterized by two strongly differing activation energies. Measurements of the defect generation rate as a function of light intensity show that the defect generation rate increases proportionally with light intensity below 1 ${\mathrm{m}\mathrm{W}/\mathrm{c}\mathrm{m}}^{2}$ and saturates at higher intensities. All experimental results can be consistently explained using a defect reaction model based on fast-diffusing oxygen dimers $({\mathrm{O}}_{2\mathrm{i}}),$ which are captured by substitutional boron $({\mathrm{B}}_{\mathrm{s}})$ to form a metastable ${\mathrm{B}}_{\mathrm{s}}\ensuremath{-}{\mathrm{O}}_{2\mathrm{i}}$ complex. Based on this model, new strategies for an effective reduction of the light degradation of solar cells made on oxygen-rich silicon materials are derived. The model also explains why no lifetime degradation is observed in aluminum-, gallium-, and indium-doped oxygen-rich silicon.
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La notice
- Revue
- Physical Review B
- Thématique
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Domaine
- Engineering
- Établissements canadiens
- —
- Organismes subventionnaires
- Institute of Gender and Health
- Mots-clés
- MetastabilityBoronSiliconMaterials scienceOxygenGalliumIndiumCrystallographyCenter (category theory)AnnihilationDopingAtomic physicsPhysicsChemistryNuclear physicsOptoelectronicsMetallurgy
- Résumé présent dans OpenAlex
- oui