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Enregistrement W2014708533 · doi:10.1021/nl203860b

Controlling Electron Overflow in Phosphor-Free InGaN/GaN Nanowire White Light-Emitting Diodes

2012· article· en· W2014708533 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueNano Letters · 2012
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueGaN-based semiconductor devices and materials
Établissements canadiensMcMaster UniversityBrockhouse Institute for Materials ResearchMcGill University
Organismes subventionnairesMcMaster UniversityNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaMcGill University
Mots-clésOptoelectronicsMaterials scienceNanowireLight-emitting diodeElectroluminescenceDiodePhosphorAuger effectVoltage droopQuantum efficiencyIndium gallium nitrideWide-bandgap semiconductorQuantum dotGallium nitrideElectronLayer (electronics)NanotechnologyPhysicsVoltage

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

We have investigated for the first time the impact of electron overflow on the performance of nanowire light-emitting diodes (LEDs) operating in the entire visible spectral range, wherein intrinsic white light emission is achieved from self-organized InGaN quantum dots embedded in defect-free GaN nanowires on a single chip. Through detailed temperature-dependent electroluminescence and simulation studies, it is revealed that electron leakage out of the device active region is primarily responsible for efficiency degradation in such nanowire devices, which in conjunction with the presence of nonradiative surface recombination largely determines the unique emission characteristics of nanowire light-emitting diodes. We have further demonstrated that electron overflow in nanowire LEDs can be effectively prevented with the incorporation of a p-doped AlGaN electron blocking layer, leading to the achievement of phosphor-free white light-emitting diodes that can exhibit for the first time virtually zero efficiency droop for injection currents up to ~2200 A/cm(2). This study also provides unambiguous evidence that Auger recombination is not the primary mechanism responsible for efficiency droop in GaN-based nanowire light-emitting diodes.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,159
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,007
Tête enseignante GPT0,220
Écart entre enseignants0,212 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle