Mitigation of accumulated electric charge by deposited fluorocarbon film during SiO2 etching
Pourquoi ce travail est dans la base
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Notice bibliographique
Résumé
SiO 2 contact-hole etching with a high-aspect ratio is a key process in fabricating ultra-large scale integrated devices. However, charge accumulation in contact holes during plasma etching causes serious problems, such as charge-build-up damage, etching-stop, and microloading effects. Therefore, understanding the mechanism behind this electric charge accumulation and controlling the plasma etching processes would be very important to achieve the next-generation semiconductor devices. We found, through our previous research, that deposited fluorocarbon film in contact holes had high electric conductivity because of ion bombardment. In this experiment, we investigated the build up of charging potential during plasma processes by in situ on-wafer monitoring to control charge accumulation in the contact holes. We developed an on-wafer monitoring device to measure the charging potential in SiO2 contact holes (aspect ratio=5.7). The dc potential of the SiO2 contact hole top and bottom surfaces were measured during plasma exposure with/without deposited fluorocarbon film in the holes. The results revealed that the sidewall deposited fluorocarbon film has high electric conductivity that may mitigate electric charge accumulation at the bottom of contact holes during SiO2 etching processes.
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Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,001 | 0,002 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle