Use of the focused ion beam to locate failure sites within electrically erasable read only memory microcircuits
Pourquoi ce travail est dans la base
Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.
Notice bibliographique
Résumé
Occasional electronically erasable programmable read only memory retention failures occurred after thousands of read write cycles. The physical sites of the failed cells were known, but not their location within the individual memory bits. Memory storage transistors have normal gate oxides and thinner tunneling oxide regions for programming. Focused ion beam (FIB) images are brighter when samples are grounded due to a passive voltage contrast mechanism. Thus, using precision etching and polishing to expose memory cells, transistors with leaky (grounded) gate-to-channel characteristics stand out. FIB examination successfully identified the failed transistors and additionally highlighted previously undetected leaky but still functional cells. FIB etching was next used to physically isolate the normal gate and tunneling oxide regions of failed transistors. This proved that the leakage only occurred within the tunnel oxide regions. Further analysis using precision focused ion beam/transmission electron microscopy cross sectioning and atomic force microscopy, identified local thickness reductions in the tunnel oxide which occurred during manufacture. Gate dielectric breakdown failures increase very rapidly with reduced thickness. Calculations showed that unacceptable gate oxide leakage would develop in a time comparable with the observed memory loss failures.
Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,001 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,001 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,001 | 0,004 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,001 |
| Science ouverte | 0,001 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,001 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle