Two-beam cross-modulation photocarrier radiometry: principles and contrast amplification in semiconductor subsurface imaging
Notice bibliographique
Résumé
A two-beam photo-carrier radiometry (PCR) technique of semiconductors has been developed. The technique operates on the superposition of superband-gap and subband-gap laser beams which results in the cross-modulation of the backscattered subband-gap laser intensity by the harmonically varying free-carrier-wave density-dependent infrared absorption coefficient. A theory of this two-beam cross-modulation approach and various experimental configurations applied to the imaging of electronic contamination and defects in silicon wafers are presented. Owing to the nonlinear interaction of the two beams, the configuration revealed a new optoelectronic effect, the decrease of the residual subband-gap absorption coefficient due to the decreased carrier capture cross-section brought about by the depletion of occupied band-gap states in the presence of photons produced by radiative recombination. Quantitative values of the optoelectronic constant B associated with the rate of depletion of free-carrier capture cross-section with superband-gap intensity, as well as of IeR, the intensity of radiative recombination emissions, were obtained. These values cannot be measured by conventional PCR or other single-ended optoelectronic techniques. The theory explains the experimental dependence of electronic transport properties on the intensity of the subband-gap beam and accounts for optoelectronic imaging contrast amplification in contaminated or defect semiconductors. The two-beam cross-modulation PCR was further shown to enhance the imaging contrast of a certain electronic contamination type (Fe in p-Si). A dramatic phase contrast enhancement of subsurface defects made by low-dose proton implantation was demonstrated at superband-gap laser intensity levels one order of magnitude lower than possible with single-ended optoelectronic imaging methodologies. This is tentatively attributed to relatively low-injection trap-filling well below optoelectronic trap saturation.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction machine sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.
Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,001 | 0,001 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,001 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,001 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,001 |
| Communication savante | 0,001 | 0,001 |
| Science ouverte | 0,001 | 0,001 |
| Intégrité de la recherche | 0,001 | 0,001 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,001 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».