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Enregistrement W2043131282 · doi:10.1063/1.4751437

A mathematical model for void evolution in silicon by helium implantation and subsequent annealing process

2012· article· en· W2043131282 sur OpenAlexaff
Mohammad Hasanuzzaman, Yaser M. Haddara, Andrew P. Knights

Notice bibliographique

RevueJournal of Applied Physics · 2012
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSilicon and Solar Cell Technologies
Établissements canadiensMcMaster University
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésVoid (composites)Annealing (glass)SiliconMaterials scienceHeliumCoalescence (physics)Ion implantationImpurityVacancy defectActivation energyAtmospheric temperature rangeSurface diffusionAnalytical Chemistry (journal)Atomic physicsMolecular physicsIonThermodynamicsComposite materialChemistryCrystallographyMetallurgyPhysical chemistryAdsorption

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

We propose a physically based model that describes the diameter and the density of voids in silicon introduced via high dose helium ion implantation and subsequent annealing. The model takes into account interactions between vacancies, interstitials, small vacancy clusters, and voids. Void evolution in silicon occurs mainly by a migration and coalescence process. Various factors such as implantation energy and dose, anneal temperature, atmospheric pressure, and impurity level in silicon can influence the migration and coalescence mechanism and thus play a role in the void evolution process. Values for model parameters are consistent with known values for point defect parameters and assumed diffusion limited reaction rates. A single “fitting parameter” represents the rate of cavity migration and coalescence and is, therefore, related to surface diffusion of adatoms. Results obtained from simulations based upon the model were compared to our experimental results and to previously reported experimental results obtained over a wide range of conditions. Data from the literature included experiments with helium ion implantation energies in the range 30–300 keV, doses of 1 × 1016−1 × 1017 cm−2, subsequent annealing temperatures in the range 700–1200 °C, and annealing duration in the range 15 min–2 h. Excellent agreement is found between the simulated results and those from reported experiments. The extracted migration and coalescence rate parameter show an activation energy consistent with surface diffusivity of silicon. It shows a linear dependence on helium dose, and increases with decreased implantation energy, decreased ambient pressure, decreased substrate impurities, increased temperature ramp rate, or increased Ge fraction in cavity layer, all consistent with the proposed physical mechanism.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,001
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,001
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Simulation ou modélisation · Signal consensuel: Simulation ou modélisation
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: aucune
Score de désaccord entre enseignants0,009
Score d'incertitude au seuil0,017

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0010,001
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0010,001
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,001
Bibliométrie0,0010,001
Études des sciences et des technologies0,0010,001
Communication savante0,0010,002
Science ouverte0,0030,001
Intégrité de la recherche0,0020,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0040,001

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,016
Tête enseignante GPT0,247
Écart entre enseignants0,231 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeSimulation ou modélisation
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations7
Publié2012
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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