Solid-state formation of titanium carbide and molybdenum carbide as contacts for carbon-containing semiconductors
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Notice bibliographique
Résumé
Metal carbides are good candidates to contact carbon-based semiconductors (SiC, diamond, and carbon nanotubes). Here, we report on an in situ study of carbide formation during the solid-state reaction between thin Ti or Mo films and C substrates. Titanium carbide (TiC) was previously reported as a contact material to diamond and carbon nanotubes. However, the present study shows two disadvantages for the solid-state reaction of Ti and C. First, because Ti reacts readily with oxygen, a capping layer should be included to enable carbide formation. Second, the TiC phase can exist over a wide range of composition (about 10%, i.e., from Ti0.5C0.5 to Ti0.6C0.4), leading to significant variations in the properties of the material formed. The study of the Mo–C system suggests that molybdenum carbide (Mo2C) is a promising alternative, since the phase shows a lower resistivity (about 45% lower than for TiC), the carbide forms below 900°C, and its formation is less sensitive to oxidation as compared with the Ti–C system. The measured resistivity for Mo2C is ρ=59μΩcm, and from kinetic studies an activation energy for Mo2C formation of Ea=3.15±0.15eV was obtained.
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Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
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