MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W2082752669 · doi:10.1063/1.3371680

Atom-by-atom simulations of chemical vapor deposition of nanoporous hydrogenated silicon nitride

2010· article· en· W2082752669 sur OpenAlexaff
Jiří Houška, J.E. Klemberg-Sapieha, L. Martinů

Notice bibliographique

RevueJournal of Applied Physics · 2010
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensPolytechnique Montréal
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésMaterials sciencePlasma-enhanced chemical vapor depositionChemical vapor depositionSilicon nitrideSticking coefficientNanoporousChemical engineeringSiliconAnalytical Chemistry (journal)NanotechnologyPhysical chemistryOrganic chemistryChemistryMetallurgy

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Amorphous hydrogenated silicon nitride (SiNH) materials prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are of high interest because of their suitability for diverse applications including optical coatings, gas/vapor permeation barriers, corrosion resistant, and protective coatings and numerous others. In addition, they are very suitable for structurally graded systems such as those with a graded refractive index. In parallel, modeling the PECVD process of SiN(H) of an a priori given SiN(H) ratio by atomistic calculations represents a challenge due to: (1) different (and far from constant) sticking coefficients of individual elements, and (2) expected formation of N2 (and H2) gas molecules. In the present work, we report molecular-dynamics simulations of particle-by-particle deposition process of SiNH films from SiHx and N radicals. We observe formation of a mixed zone (damaged layer) in the initial stages of film growth, and (under certain conditions) formation of nanopores in the film bulk. We investigate the effect of various PECVD process parameters (ion energy, composition of the SiHx+N particle flux, ion fraction in the particle flux, composition of the SiHx radicals, angle of incidence of the particle flux) on both (1) deposition characteristics, such as sticking coefficients, and (2) material characteristics, such as dimension of the nanopores formed. The results provide detailed insight into the complex relationships between these process parameters and the characteristics of the deposited SiNH materials and exhibit an excellent agreement with the experimentally observed results.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,003
Score d'incertitude au seuil0,428

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,007
Tête enseignante GPT0,212
Écart entre enseignants0,205 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations27
Publié2010
Routes d'admission1
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueJournal of Applied PhysicsMême sujetSemiconductor materials and devicesTravaux en français237 207