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Enregistrement W2126651129 · doi:10.1139/cjp-2013-0544

Temperature and bias dependence of hydrogenated amorphous silicon – crystalline silicon heterojunction capacitance: the link to band bending and band offsets

2014· article· en· W2126651129 sur OpenAlexvenueno aff
Olga Maslova, Aurore Brézard‐Oudot, Marie‐Estelle Gueunier‐Farret, José Alvarez, Wilfried Favre, D. Muñoz, А.С. Гудовских, Jean‐Paul Kleider

Notice bibliographique

RevueCanadian Journal of Physics · 2014
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSilicon and Solar Cell Technologies
Établissements canadiensnon disponible
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésCapacitanceBand bendingDepletion regionCrystalline siliconHeterojunctionMaterials scienceSiliconAtmospheric temperature rangeAmorphous siliconCondensed matter physicsAmorphous solidAnalytical Chemistry (journal)OptoelectronicsChemistrySemiconductorPhysicsCrystallographyThermodynamicsElectrode

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

The temperature dependence of the capacitance–voltage data (C–V–T) of very high efficiency silicon heterojunction solar cells in a wide temperature range, up to 400 K, is analyzed. We show that the temperature dependence of the capacitance exhibits an anomalously large increase with temperature that cannot be explained under the usual depletion approximation. Using the complete analytical calculation of the capacitance, where the contribution of both types of carriers is taken into account, this large increase of capacitance with temperature of p-type hydrogenated amorphous silicon – n-type crystalline silicon ((p) a-Si:H – (n) c-Si) heterojunctions observed experimentally is reproduced. This increase of the capacitance is due to a strong inversion layer at the c-Si surface, which is promoted as the temperature increases. Further we show that the temperature dependence of the 1/C 2 versus applied reverse voltage (V a ) plot is as well strongly affected by the strong inversion layer at the c-Si surface. Consequently, the intercept of the linear extrapolation of 1/C 2 versus V a with the voltage axis (V int ) differs significantly from the total diffusion potential predicted by depletion capacitance theory. These underestimated values of the total diffusion potential can consequently lead to erroneous estimation of the band offsets. The temperature dependence of V int is considerably enhanced for the case of the full analytical calculation when compared with the depletion approximation approach. These data, obtained directly on the final solar cell device, thus confirm the existence of a surface strong inversion layer that was previously revealed by measurements performed by other techniques on dedicated or precursor devices, allowing one to get information on the band diagram and the heterointerface.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,031
Score d'incertitude au seuil0,441

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,012
Tête enseignante GPT0,188
Écart entre enseignants0,175 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations2
Publié2014
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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