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Enregistrement W2155895405 · doi:10.1109/iciprm.2005.1517494

Above BV/sub CEO/ operation of InP collector HBTs: relevant physics and comparison to other materials such as GaAs and silicon

2005· article· en· W2155895405 sur OpenAlexaff
C. R. Bolognesi, H.G. Liu

Notice bibliographique

Revuenon disponible
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueSemiconductor Quantum Structures and Devices
Établissements canadiensSimon Fraser University
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésImpact ionizationIonizationCommon emitterMaterials scienceBipolar junction transistorOptoelectronicsSiliconSemiconductorThermal ionizationTransistorAtomic physicsAnalytical Chemistry (journal)VoltagePhysicsElectron ionizationChemistryIon

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

The effect of secondary impact ionization by the non-initiating carrier on the near avalanche behavior of highspeed InP collector transistors is studied. We show that secondary collector ionization by generated holes traveling back toward the base layer significantly reduces BV/sub CBO/ if the hole ionization coefficient is higher than that of electrons [/spl beta//sub p/(E)>/spl alpha//sub n/(E)]: the positive feedback due to a strong secondary ionization sharpens the breakdown characteristic by speeding up carrier multiplication, and decreases separation between the open-base collector-emitter (BV/sub CEO/) and the open-emitter base-collector (BV/sub CBO/) breakdown voltages. The influence of secondary ionization on the BV/sub CEO/-BV/sub CBO/ separation has not previously been described. Multiplication coefficient comparisons for representative InP, GaAs and Si collectors indicate that all structures can sustain low-current above BV/sub CEO/ operation from a transport (non-thermal) point of view, although the different degrees of secondary ionization in various semiconductors lead to fundamental differences when InP is compared to GaAs and Si since for the latter materials /spl beta//sub p/(E)</spl alpha//sub n/(E). The collector ionization integral is used to determine the maximum collector voltage before the onset of non-thermal device instabilities for InP devices: we find that for a 2000 /spl Aring/ collector the transistor can be operated well above BV/sub CEO/ and up to 90% of BV/sub CBO/ when the base is not left open-circuited, in good agreement with measurements on InP/GaAsSb/InP DHBTs.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,026
Score d'incertitude au seuil0,795

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,013
Tête enseignante GPT0,278
Écart entre enseignants0,265 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations1
Publié2005
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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