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Enregistrement W2176717729 · doi:10.1139/cjp-2013-0610

Dependence of open circuit voltage in a-Si:H and μc-Si:H solar cells on defect density in absorber layer varied by 2 MeV electron bombardment

2014· article· en· W2176717729 sur OpenAlexvenueno aff
Oleksandr Astakhov, Vladimir Smirnov, R. Carius, Bart E. Pieters, Yu. Petrusenko, V. Borysenko, F. Finger

Notice bibliographique

RevueCanadian Journal of Physics · 2014
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueThin-Film Transistor Technologies
Établissements canadiensnon disponible
Organismes subventionnairesBundesministerium für Bildung und Forschung
Mots-clésOpen-circuit voltagePhysicsElectronSolar cellElectron densitySiliconAnnealing (glass)RecombinationCurrent densityMolecular physicsAnalytical Chemistry (journal)OptoelectronicsAtomic physicsVoltageChemistry

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Theoretically predicted values of the open circuit voltage (V OC ) for a-Si:H or μc-Si:H based solar cells are substantially higher than the values achieved in of state-of-the-art devices. Fundamentally, open circuit voltage is determined by generation-recombination kinetics, where recombination is often controlled by the defect density in the absorber layer of a solar cell. The latter aspect is the focus of the paper. The relation between the V OC and the bulk recombination in the absorber layer is addressed in experiment by varying the defect density. The absorber layer defect density (spin density, N S , monitored with ESR) in a-Si:H and μc-Si:H solar cells was varied over two orders of magnitude using a 2 MeV electron bombardment and successive stepwise annealing. The results of the electron bombardment experiment are analyzed with respect to the illumination intensity dependency of the V OC , measured for the same set of a-Si:H and μc-Si:H solar cells. We find that the V OC of a-Si:H solar cells is not limited by defects in the bulk of the absorber layer, even at relatively high defect density up to 3–5 × 10 16 cm −3 and, therefore, other limiting mechanisms have to be identified to improve voltage in these devices. In contrast, μc-Si:H solar cells show nearly classical V OC –N S relation. The bulk defect density in μc-Si:H absorber layer is thus likely the key limiting factor for V OC in these devices at present status of material quality (N S of 3–7 × 10 15 cm −3 ). Further optimization of μc-Si:H in terms of bulk defect density is highly relevant for V OC improvement in solar cells.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,036
Score d'incertitude au seuil0,985

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,011
Tête enseignante GPT0,199
Écart entre enseignants0,188 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations2
Publié2014
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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