MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W2219836075 · doi:10.1149/1.1471891

Physical and Electrical Characterization of ZrO[sub 2] Gate Insulators Deposited on Si(100) Using Zr(O[sup i]-Pr)[sub 2](thd)[sub 2] and O[sub 2]

2002· article· en· W2219836075 sur OpenAlexaff
H. W. Chen, T.Y. Huang, D. Landheer, Xiaohua Wu, S. Moisa, G. I. Sproule, Tien‐Sheng Chao

Notice bibliographique

RevueJournal of The Electrochemical Society · 2002
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensInstitute for Microstructural Sciences
Organismes subventionnairesNational Science CouncilNorth Carolina State University
Mots-clésX-ray photoelectron spectroscopyMaterials scienceAnalytical Chemistry (journal)Amorphous solidZirconiumAnnealing (glass)Chemical engineeringChemistryCrystallographyMetallurgy

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

The characteristics of ultrathin ZrO2 films deposited using molecular oxygen and the zirconium precursor Zr(Oi­Pr)2(thd)2 [where Oi­Pr is isopropoxide and thd is 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate] were investigated. The organometallic was dissolved as a 0.15 M solution in octane and introduced into the deposition chamber using a liquid injection system. The deposition rate was insensitive to molecular oxygen flow but changed with liquid injection rate and was thermally activated in the range 390-550°C. No evidence of Zr-C and Zr-Si bonds were found in the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), spectra, and carbon concentrations, <0.1 atom %, the detection limit of the XPS depth profiling measurements, were obtained at the lowest deposition temperatures and deposition rates. High-resolution transmission electron microscopy showed the ZrO2 films to be polycrystalline as deposited, with an amorphous zirconium silicate interfacial layer. The effects of postdeposition annealing were also demonstrated. After proper annealing treatments, promising capacitance-voltage and current-voltage characteristics were achieved. A film with an equivalent oxide thickness of 2.3 nm showed current reductions of approximately two orders of magnitude when compared to SiO2, but some improvements are required if these films are to be used as a gate-insulator beyond the 100 nm CMOS (complementary metal oxide semiconductor) technology node.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,048
Score d'incertitude au seuil0,805

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,009
Tête enseignante GPT0,199
Écart entre enseignants0,191 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations20
Publié2002
Routes d'admission1
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueJournal of The Electrochemical SocietyMême sujetSemiconductor materials and devicesTravaux en français237 207