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Enregistrement W2340389757 · doi:10.1149/ma2014-02/34/1719

Invited: Heterointegration of Semiconductors: Challenges and Opportunities

2014· article· en· W2340389757 sur OpenAlexaff
Oussama Moutanabbir

Notice bibliographique

RevueECS Meeting Abstracts · 2014
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueSemiconductor Quantum Structures and Devices
Établissements canadiensPolytechnique Montréal
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésNanotechnologyWaferSemiconductorEngineering physicsMiniaturizationComputer scienceMaterials scienceEngineeringOptoelectronics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Nowadays, semiconductor industry faces major challenges as the current materials and designs can hardly respond to the relentless course towards device miniaturization, higher performances, energy efficiency, cost-effectiveness, and multifunctionality, which have been the driving forces for the development of semiconductor technologies. New materials and integration processes are urgently needed to overcome these multi-faceted challenges. The heterointegration of dissimilar materials on the same platform has recently emerged as a powerful strategy to address some of these challenges. Particularly, tremendous efforts have been put to develop fabrication processes that allow the integration of III-V compound semiconductors on foreign substrates. For instance, III-V heterointegration on silicon substrates will enable the combination, within a single platform, III-V high-performance technologies with low cost and wafer size advantages besides its compatibility with standard semiconductor processing. In addition to electronic and optoelectronic applications, the realization of these hybrid substrates is also highly relevant for high-efficiency, low-cost photovoltaic cells, spintronics, bio-integrated technologies, to name a few. It is, however, noteworthy that this heterointegration needs to be achieved on the wafer level in order to be technologically and economically viable. In this presentation, we provide a description of important approaches to achieve this heterogeneous integration, with an emphasis on wafer bonding processes and thin layer splitting using the ion-cut process. A variety of bulk-quality heterostructures, frequently unattainable by direct epitaxial growth, can be produced provided that a list of technical criteria is fulfilled, thus offering an additional degree of freedom in the design and fabrication of heterogeneous, multifunctional, and flexible devices. Ion cutting is a generic process that can be employed to split and transfer fine monocrystalline layers from various crystals. Materials and engineering issues as well as our current understanding of the underlying physics involved in its application to cleaving thin layers from freestanding GaN, InP, and GaAs wafers will be presented and discussed.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,078
Score d'incertitude au seuil0,481

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,046
Tête enseignante GPT0,254
Écart entre enseignants0,208 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2014
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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