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Enregistrement W2605020359 · doi:10.1021/acsami.6b16173

A Complementary Metal Oxide Semiconductor Process-Compatible Ferroelectric Tunnel Junction

2017· article· en· W2605020359 sur OpenAlexafffund
Gitanjali Kolhatkar, Maxime Broyer, Azza Hadj-Youssef, Rafik Nouar, A. Sarkissian, Reji Thomas, Carlos Gómez‐Yáñez, Marc A. Gauthier, Andreas Ruëdiger

Notice bibliographique

RevueACS Applied Materials & Interfaces · 2017
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueFerroelectric and Negative Capacitance Devices
Établissements canadiensPlasmionique (Canada)Institut National de la Recherche Scientifique
Organismes subventionnairesFonds de recherche du Québec – Nature et technologiesConsejo Nacional de Ciencia y Tecnología, GuatemalaNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaConsejo Nacional de Ciencia y Tecnología
Mots-clésMaterials scienceQuantum tunnellingFerroelectricityTunnel junctionHeterojunctionSemiconductorOptoelectronicsTinCMOSNanotechnologyFabricationOxideOrthorhombic crystal systemSiliconOpticsDiffractionMetallurgyDielectricPhysics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

In recent years, experimental demonstration of ferroelectric tunnel junctions (FTJ) based on perovskite tunnel barriers has been reported. However, integrating these perovskite materials into conventional silicon memory technology remains challenging due to their lack of compatibility with the complementary metal oxide semiconductor process (CMOS). This communication reports the fabrication of an FTJ based on a CMOS-compatible tunnel barrier Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 (6 unit cells thick) on an equally CMOS-compatible TiN electrode. Analysis of the FTJ by grazing angle incidence X-ray diffraction confirmed the formation of the noncentrosymmetric orthorhombic phase ( Pbc 2 1, ferroelectric phase). The FTJ characterization is followed by the reconstruction of the electrostatic potential profile in the as-grown TiN/Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 /Pt heterostructure. A direct tunneling current model across a trapezoidal barrier was used to correlate the electronic and electrical properties of our FTJ devices. The good agreement between the experimental and theoretical model attests to the tunneling electroresistance effect (TER) in our FTJ device. A TER ratio of ∼15 was calculated for the present FTJ device at low read voltage (+0.2 V). This study suggests that Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 is a promising candidate for integration into conventional Si memory technology.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,001
Score d'incertitude au seuil0,002

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,022
Tête enseignante GPT0,255
Écart entre enseignants0,233 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations190
Publié2017
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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