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Enregistrement W2765886561 · doi:10.1116/1.4998480

Chromium oxide as a hard mask material better than metallic chromium

2017· article· en· W2765886561 sur OpenAlexafffund
Ferhat Aydinoglu, Fayçal Saffih, Ripon Kumar Dey, Bo Cui

Notice bibliographique

RevueJournal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena · 2017
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesOntario Ministry of Research and InnovationOntario Ministry of Research, Innovation and ScienceUniversity of WaterlooResearch and Innovation FoundationIndustry CanadaCanada Foundation for Innovation
Mots-clésResistEtching (microfabrication)Reactive-ion etchingMaterials scienceDry etchingLayer (electronics)Substrate (aquarium)SiliconPlasma etchingChromiumNanolithographyNanotechnologyOptoelectronicsMetallurgyFabrication

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

In nanofabrication, use of thin resist is required to achieve very high resolution features. But thin resist makes pattern transferring by dry etching difficult because typical resist has poor resistance to plasma etching. One widely employed strategy is to use an intermediate hard mask layer, with the pattern first transferred into this layer, then into the substrate or sublayer. Cr is one of the most popular hard etching mask materials because of its high resistance to plasma etching. Cr etching is carried out in O2 and Cl2 or CCl4 environment to form the volatile etching product CrO2Cl2, but addition of O2 gas leads to fast resist etching. In this work, the authors show that Cr2O3 can be etched readily in a Cl2/O2 gas mixture with less oxygen than needed for Cr etching, because Cr2O3 contains oxygen by itself. Thus it is easier to transfer the resist pattern into Cr2O3 than into Cr. For the subsequent pattern transferring into the substrate here silicon using nonswitching pseudo-Bosch inductively coupled plasma-reactive ion etching with SF6/C4F8 gas and Cr or Cr2O3 as mask, it was found that the two materials have the same etching resistance and selectivity of 100:1 over silicon. Therefore, Cr2O3 is a more suitable hard mask material than Cr for pattern transferring using dry plasma etching.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,002
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,012
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0020,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0010,000
Études des sciences et des technologies0,0010,002
Communication savante0,0010,001
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,015
Tête enseignante GPT0,228
Écart entre enseignants0,213 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations18
Publié2017
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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