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Enregistrement W2786660862 · doi:10.3934/matersci.2018.1.105

Control of the spontaneous formation of oxide overlayers on GaP nanowires grown by physical vapor deposition

2018· article· en· W2786660862 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.

Notice bibliographique

RevueAIMS Materials Science · 2018
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueNanowire Synthesis and Applications
Établissements canadiensUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésNanowireMaterials scienceAtomic layer depositionRaman spectroscopyGallium phosphideOxideChemical engineeringNanotechnologyChemical vapor depositionHydrogenLayer (electronics)OptoelectronicsChemistryMetallurgyOptics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Growth of gallium phosphide nanowires by vapor deposition of simple thermally evaporated inorganic precursors is generally accompanied by unintentional formation of thick oxide coating, which may compromise the optical and electrical properties of the nanowires. Controlling and eliminating this outer layer during thermal evaporation growth of GaP nanowires represents a barrier to simple and scalable preparation of this technologically important material. In this article, we systematically investigated the role of different parameters (temperature, hydrogen flow rate, and starting Ga/P ratio) in the synthesis of GaP nanowires, and mapped out the conditions for the growth of oxide-layer-free nanowires. Increase in temperature, hydrogen flow, and phosphorus concentration led to diminished oxide layer thickness and improved nanowire morphology. Long and straight nanowires with the near perfect stoichiometry and complete absence of oxide outer layer were obtained for 1050 °C, 100 sccm hydrogen flow rate, and Ga/P flux ratio of 0.5. In contrast to other reports, this work emphasizes the importance of introducing hydrogen flow and excess phosphorus, which provide for reducing environment and reduced rate of the reaction of Ga with O in the growth process, respectively. The ability to control dielectric medium around GaP NWs by controlling the formation of oxide overlayer was demonstrated by Raman spectroscopy. The results of this work demonstrate a full control of the multi-parameter space in the simple, inexpensive, and scalable synthesis of GaP NWs, and may provide a guideline for rational improvement of the growth conditions for other types of semiconductor nanowires.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,003
Score d'incertitude au seuil0,201

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,006
Tête enseignante GPT0,209
Écart entre enseignants0,203 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle