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Enregistrement W2808897403 · doi:10.1109/ted.2018.2844741

Intrinsic Performance of Germanane Schottky Barrier Field-Effect Transistors

2018· article· en· W2808897403 sur OpenAlexafffund
Yiju Zhao, Demin Yin, Youngki Yoon

Notice bibliographique

RevueIEEE Transactions on Electron Devices · 2018
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueGraphene research and applications
Établissements canadiensUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaUniversity of WaterlooCompute Canada
Mots-clésSchottky barrierMaterials scienceOhmic contactField-effect transistorOptoelectronicsSchottky diodeTransistorBand gapGermaniumSemiconductorLeakage (economics)Condensed matter physicsSiliconElectrical engineeringNanotechnologyPhysicsDiodeVoltage

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Germanane (GeH), a hydrogenated germanium monolayer, is a new family of 2-D semiconductors, exhibiting promising potential for electronic device applications. Here, we investigate GeH Schottky barrier (SB) field-effect transistors (FETs) using atomistic quantum transport simulations. Our simulation results reveal that the ohmic-contact device with zero SB height (Φ <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">Bn</sub> ) exhibits ~20% lower ON-current than the metal-oxide-semiconductor (MOS) FET counterpart due to the inherent tunnel barrier at the metal-semiconductor junction. We also compare 14-nm-channel GeH and black phosphorus (BP) SBFETs with a finite SB height of Φ <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">Bn</sub> = 0.22 eV for both devices. Our results show that GeH outperforms BP in the ON-state, but it can suffer from larger leakage current in the OFF-state. We further investigate the effect of barrier height in GeH SBFET by varying Φ <sub xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink">Bn</sub> from 0 eV to a half bandgap (0.78 eV). In general, as barrier height increases, both ON-current and the minimum leakage current are reduced. It is also observed that, with increasing SB height, intrinsic delay increases but the required energy per switching decreases, indicating the trade-off between the device speed and the energy dissipation. Our benchmarking of GeH SBFET against GeH and BP MOSFETs demonstrates that GeH generally outperforms BP in terms of energy-delay product (EDP). By performing careful engineering of SB height along with the device threshold voltage, we show that the minimum EDP of GeH SBFET can be as comparable as that of the MOSFET counterpart, suggesting great potential of GeH SBFETs for future switching device applications.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesCharge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,021
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,008
Tête enseignante GPT0,266
Écart entre enseignants0,258 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations5
Publié2018
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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