MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W2944360141 · doi:10.1063/1.5089658

Highly efficient p-type doping of GaN under nitrogen-rich and low-temperature conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy

2019· article· en· W2944360141 sur OpenAlexaff
H. Tang, Sharif Sadaf, X. Wu, Weihong Jiang

Notice bibliographique

RevueAIP Advances · 2019
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueGaN-based semiconductor devices and materials
Établissements canadiensNational Research Council Canada
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésMolecular beam epitaxyDopingAnalytical Chemistry (journal)Atmospheric temperature rangeMaterials scienceImpurityDesorptionNitrogenEpitaxySurface roughnessChemistryOptoelectronicsNanotechnologyPhysical chemistryLayer (electronics)

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Highly efficient and reproducible p-type doping of GaN under nitrogen-rich and low-growth-temperature conditions was demonstrated with the plasma-assisted molecular beam epitaxy technique. The low-temperature range is approximately below 650 °C and refers to growth temperatures at which the thermal desorption of any excess Ga is negligibly slow. The Mg and hole concentrations obtained with the N-rich condition were more than one order of magnitude higher than those obtained with the Ga-rich condition while keeping all other conditions identical. The Mg doping under such N-rich conditions was also found to show Mg-mediated suppression of background impurities, good epitaxy quality on GaN templates, and relatively low surface roughness. Over the investigated growth temperature range from 580 °C to 650 °C, the Mg incorporation efficiency under the N-rich condition was found to be close to unity (70%-80%) and independent of the growth temperature. High hole concentrations of up to 2×1019 cm-3 and activation efficiencies of up to 16.6% were obtained. The result rules out the Mg surface sticking probability as the limiting mechanism for Mg incorporation in this temperature range, as it would be temperature dependent. Instead, the Mg incorporation rate was more likely governed by the availability of substitutional sites for Mg on the surface, which should be abundant under the N-rich growth conditions. Excellent diode characteristics and electroluminescence results were observed when this p-type doping method was employed in the growth of full device structures.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,004
Score d'incertitude au seuil0,576

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,005
Tête enseignante GPT0,235
Écart entre enseignants0,230 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations6
Publié2019
Routes d'admission1
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueAIP AdvancesMême sujetGaN-based semiconductor devices and materialsTravaux en français237 207