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Enregistrement W2957637843 · doi:10.1063/1.5099380

Low-temperature behaviors of multilayer MoS2 transistors with ohmic and Schottky contacts

2019· article· en· W2957637843 sur OpenAlexaff
Woong Choi, Demin Yin, Sooho Choo, Seok–Hwan Jeong, Hyuk‐Jun Kwon, Youngki Yoon, Sunkook Kim

Notice bibliographique

RevueApplied Physics Letters · 2019
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
Thématique2D Materials and Applications
Établissements canadiensUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesKorea Evaluation Institute of Industrial TechnologyNational Research Foundation of Korea
Mots-clésMaterials scienceOhmic contactSchottky barrierOptoelectronicsThin-film transistorTransistorSchottky diodeSemiconductorMolybdenum disulfideField-effect transistorElectron mobilityNanotechnologyLayer (electronics)VoltageElectrical engineeringDiodeComposite material

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

We report the low-temperature characterization of back-gated multilayer molybdenum disulfide (MoS2) thin-film transistors (TFTs) based on mechanically exfoliated natural MoS2 crystals. Although all the tested MoS2 TFTs are fabricated with the same processes and materials, the current-voltage characteristics of MoS2 TFTs between 77 K and 300 K indicate the existence of two distinct transport behaviors in MoS2 TFTs. One group with a negligible Schottky barrier shows temperature-independent large field-effect mobility, whereas the other group with a high Schottky barrier exhibits significantly lower mobility with a large dependence on temperature variation. We have revealed that the temperature dependence originates from the different carrier injection mechanisms at the source-channel junction, where the intrinsic variation of electronic properties of natural MoS2 crystals can strongly influence the Schottky barrier. Given that sample-to-sample variations are commonly observed in MoS2 TFTs, the metal-semiconductor junction of the as-fabricated device is of paramount importance, and so the low-temperature measurement of current-voltage characteristics of a multilayer MoS2 transistor can be a practical means to investigate the contact properties of natural MoS2 TFTs. Our comprehensive study advances the fundamental knowledge of the transport mechanisms particularly through the metal-MoS2 interface, which will be a critical step toward high-performance electronics based on 2D semiconductors.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,002
Score d'incertitude au seuil0,585

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,005
Tête enseignante GPT0,200
Écart entre enseignants0,195 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations9
Publié2019
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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