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Enregistrement W2974274474 · doi:10.1038/s41467-019-12353-9

Uprooting defects to enable high-performance III–V optoelectronic devices on silicon

2019· article· en· W2974274474 sur OpenAlex
Youcef A. Bioud, Abderraouf Boucherif, M. Myronov, A. Soltani, G. Patriarche, Nadi Braidy, Mourad Jellite, Dominique Drouin, Richard Arès

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueNature Communications · 2019
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueNanowire Synthesis and Applications
Établissements canadiensInstitut interdisciplinaire d'innovation technologiqueUniversité de Sherbrooke
Organismes subventionnairesNational Renewable Energy LaboratoryNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaFonds Québécois de la Recherche sur la Nature et les TechnologiesUniversity of Ottawa
Mots-clésMaterials scienceOptoelectronicsWaferSiliconDislocationSubstrate (aquarium)Annealing (glass)Etching (microfabrication)SemiconductorPhotonicsNanotechnologyLayer (electronics)Composite material

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Abstract The monolithic integration of III-V compound semiconductor devices with silicon presents physical and technological challenges, linked to the creation of defects during the deposition process. Herein, a new defect elimination strategy in highly mismatched heteroepitaxy is demonstrated to achieve a ultra-low dislocation density, epi-ready Ge/Si virtual substrate on a wafer scale, using a highly scalable process. Dislocations are eliminated from the epilayer through dislocation-selective electrochemical deep etching followed by thermal annealing, which creates nanovoids that attract dislocations, facilitating their subsequent annihilation. The averaged dislocation density is reduced by over three orders of magnitude, from ~10 8 cm −2 to a lower-limit of ~10 4 cm −2 for 1.5 µm thick Ge layer. The optical properties indicate a strong enhancement of luminescence efficiency in GaAs grown on this virtual substrate. Collectively, this work demonstrates the promise for transfer of this technology to industrial-scale production of integrated photonic and optoelectronic devices on Si platforms in a cost-effective way.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,525
Score d'incertitude au seuil0,871

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,001

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,007
Tête enseignante GPT0,233
Écart entre enseignants0,226 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle