Transmission electron microscopy dislocation study of Ge-on-Si films supporting a new lattice-mismatch relaxation mechanism
Notice bibliographique
Résumé
We present an in-depth study of Ge(Si), Ge with a potential for some Si, films grown laterally on Si using plan-view transmission electron microscopy (TEM). Earlier, we reported that high-quality Ge films can be grown on Si by using a metal-catalyzed, lateral epitaxial growth technique. In particular, the lateral overgrowth areas of the films demonstrated a much lower dislocation density compared to the first-to-nucleate areas in cross-sectional TEM. Here, we further studied both the film and dislocation morphologies in plan-view TEM to understand more about the growth process and relaxation mechanism. For a film closely studied in plan-view TEM, the center of the film was thicker and contained much more dislocations and there were some thickness variations near the edges. For the central thicker region, the composition was analyzed and three areas within the film were found to be relatively Si-rich and are, therefore, likely to be one of the first-to-nucleate parts of the film. We investigated the dislocation morphology in depth in this film, counting dislocation numbers in both the Si-rich/first-to-nucleate and lateral overgrowth areas of the film. This study indicates that the Si-rich areas contained high dislocation densities (108 or 109 #/cm2), at least one or two magnitudes higher than that of the lateral overgrowth areas, and many dislocations were found to originate from them and extend toward the edge of the film. The observations in this study provide more evidence to support the idea that a new relaxation is present to enable high-quality, lateral Ge growth on Si.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction machine sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.
Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,001 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».