MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W3022201269 · doi:10.1109/ted.2020.2985023

Assessing the Role of a Semiconductor’s Anisotropic Permittivity in Hafnium Disulfide Monolayer Field-Effect Transistors

2020· article· en· W3022201269 sur OpenAlexafffund
Robert K. A. Bennett, Demin Yin, Youngki Yoon

Notice bibliographique

RevueIEEE Transactions on Electron Devices · 2020
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésPermittivityMaterials scienceRelative permittivityCapacitanceSemiconductorIsotropyField-effect transistorAnisotropyTransistorCondensed matter physicsOptoelectronicsDielectricElectrical engineeringOpticsPhysicsEngineeringVoltage

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

2-D semiconductors show great promise to serve as channel materials in next-generation field-effect transistors (FETs). The permittivity of many 2-D semiconductors is anisotropic, though many recent simulation works studying 2-D FETs have treated these materials as though they have isotropic permittivities. Because there have been no works that investigate the role of each element of a semiconductor's anisotropic permittivity on a device's performance, the impact that this isotropic approximation has on a simulation's accuracy is unknown. Furthermore, the impact of a semiconductor's anisotropic permittivity on a device's performance cannot be explained using existing theory. In this simulation study, we investigate, for the first time, the impact of a semiconductor's anisotropic permittivity on the performance of FETs. Our main findings are that the isotropic approximation becomes inaccurate as the channel lengths of FETs are scaled down and that short-channel effects become less significant when the semiconductor's in-plane permittivity decreases or its out-of-plane permittivity increases. We also find that the capacitance of the semiconductor in the out-of-plane direction (i.e., the capacitance associated with the out-of-plane permittivity) more significantly influences a device's gate capacitance when equivalent oxide thickness (EOT) decreases. Therefore, EOT alone cannot be used to assess total gate control in aggressively scaled 2-D devices.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,005
Score d'incertitude au seuil0,765

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,012
Tête enseignante GPT0,249
Écart entre enseignants0,237 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations9
Publié2020
Routes d'admission2
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueIEEE Transactions on Electron DevicesMême sujetSemiconductor materials and devicesTravaux en français237 207