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Enregistrement W3111465871 · doi:10.1088/1361-6641/abd489

New barrier layer design for the fabrication of gallium nitride-metal-insulator-semiconductor-high electron mobility transistor normally-off transistor

2020· article· en· W3111465871 sur OpenAlexafffund
Flavien Cozette, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Éric Frayssinet, Rémi Comyn, F. Lecourt, N. Defrance, Nathalie Labat, François Boone, A. Soltani, Abdelatif Jaouad, Y. Cordier, Hassan Maher

Notice bibliographique

RevueSemiconductor Science and Technology · 2020
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueGaN-based semiconductor devices and materials
Établissements canadiensInstitut interdisciplinaire d'innovation technologiqueUniversité de Sherbrooke
Organismes subventionnairesFonds de recherche du Québec – Nature et technologiesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaAgence Nationale de la Recherche
Mots-clésMaterials scienceOptoelectronicsTransistorBarrier layerFabricationSemiconductorLayer (electronics)Analytical Chemistry (journal)NanotechnologyChemistryVoltageElectrical engineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Abstract This paper reports on the fabrication of an enhancement-mode AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor-high electron mobility transistor with a new barrier epi-layer design based on double Al0.2Ga0.8N barrier layers separated by a thin GaN layer. Normally-off transistors are achieved with good performances by using digital etching (DE) process for the gate recess. The gate insulator is deposited using two technics: plasma enhance chemical vapour deposition (sample A) and atomic layer deposition (sample B). Indeed, the two devices present a threshold voltage (V th) of +0.4 V and +0.9 V respectively with ΔV th about 0.1 V and 0.05 V extracted from the hysteresis gate capacitance measurement, a gate leakage current below 2 × 10−10 A mm−1, an I ON/I OFF about 108 and a breakdown voltage of V BR = 150 V and 200 V respectively with 1.5 µm thick buffer layer. All these results are indicating a good barrier surface quality after the gate recess. The DE mechanism is based on chemical dissolution of oxides formed during the first step of DE. Consequently, the process is relatively soft with very low induced physical damages at the barrier layer surface.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,001
Score d'incertitude au seuil0,002

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,022
Tête enseignante GPT0,247
Écart entre enseignants0,225 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations3
Publié2020
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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