MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W3117376328 · doi:10.1109/ted.2020.3044559

Using Anisotropic Insulators to Engineer the Electrostatics of Conventional and Tunnel Field-Effect Transistors

2020· article· en· W3117376328 sur OpenAlexafffund
Robert K. A. Bennett, Youngki Yoon

Notice bibliographique

RevueIEEE Transactions on Electron Devices · 2020
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensNational Institute for NanotechnologyUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésDielectricElectrostaticsMaterials scienceAnisotropyInsulator (electricity)Gate dielectricField-effect transistorOptoelectronicsTransistorPermittivityElectric fieldSemiconductorElectrical engineeringEngineering physicsPhysicsEngineeringOpticsVoltage

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Materials scientists have developed a wide variety of anisotropic insulators that could offer avenues to separately manipulate lateral and perpendicular electric fields if implemented as the gate insulators or spacers in field-effect transistors (FETs). However, there have been no works that have studied how the electrostatics of an FET can be engineered by using anisotropic insulators. We address this gap in knowledge by simulating metal–oxide–semiconductor FETs (MOSFETs) and tunnel FETs (TFETs) while separately varying the in-plane and out-of-plane permittivities of their insulators. Our results show that MOSFETs should have gate insulators and spacers with small in-plane and large out-of-plane permittivities to maximize their performance, and we demonstrate that an FET with a single anisotropic insulator that covers both the gate dielectric and spacers can outperform a similar structure that uses hafnium dioxide for the gate dielectric and air for the spacers. We also demonstrate that anisotropic gate insulators can greatly improve the subthreshold swing and ON-currents of TFETs, and we introduce a new type of heterogate dielectric for TFETs by manipulating the gate insulator’s in-plane permittivity. We anticipate that the results of this study will motivate experimental research toward developing FETs with anisotropic insulators.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Simulation ou modélisation · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,001
Score d'incertitude au seuil0,002

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,017
Tête enseignante GPT0,240
Écart entre enseignants0,223 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeSimulation ou modélisation
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations6
Publié2020
Routes d'admission2
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueIEEE Transactions on Electron DevicesMême sujetSemiconductor materials and devicesTravaux en français237 207