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Enregistrement W3117457718 · doi:10.1149/ma2020-02241718mtgabs

(Invited) Engineering SiGeSn Semiconductors for MIR and THz Opto-electronic Devices

2020· article· en· W3117457718 sur OpenAlexaff
Simone Assali, Anis Attiaoui, Mahmoud R. M. Atalla, Aashish Kumar, Samik Mukherjee, Jérôme Nicolas, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir

Notice bibliographique

RevueECS Meeting Abstracts · 2020
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiquePhotonic and Optical Devices
Établissements canadiensPolytechnique Montréal
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésMaterials scienceHeterojunctionOptoelectronicsSemiconductorPhotoluminescencePhotocurrentBand gap

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Sn-containing group IV semiconductors (Si)GeSn represent a versatile platform to implement a variety of Si-compatible photonic, optoelectronic, and photovoltaic devices operating from SWIR to MIR wavelengths. This class of semiconductors provides two degrees of freedom, strain and composition, to tailor the band structure and lattice parameter thus enabling a variety of heterostructures and low-dimensional systems on a Si substrate.[1] In this presentation, the recent progress in the epitaxial growth and opto-electronic properties of metastable (Si)GeSn semiconductors with Sn contents above 15 at.% will be discussed. The growth of the (Si)GeSn multi-layer heterostructure is performed in a chemical vapor deposition (CVD) reactor on a Si wafer. By reducing the growth temperature, the Sn content in the alloy is increased, while preserving a high degree of crystal purity for the heterostructure in the topmost Sn-rich layer. Atom probe tomography (APT) measurements will be discussed to address the abruptness of the interfaces and the compositional profile across the GeSn multi-layer heterostructure.[2-4] By tailoring the strain relaxation in Ge0.83Sn0.17 room-temperature photoluminescence (PL) emission wavelength above 4.0 μm upon is achieved.[2,5] The absence of defect- and impurity-related emission and limited carrier losses into non-radiative recombination channels will be addressed using temperature-dependent PL measurements. Direct band gap absorption will be shown using transmission measurements performed at room-temperature, with energies closely matching the PL data. These observations will be discussed in the light of photocurrent measurements on GeSn photodetectors operating up to ~4.6 μm at room-temperature. The integration of p-i-n heterostructures in GeSn photodetectors will be investigated by correlating structural and opto-electronics properties of the fabricated devices. In addition, strategies to further extend the operational wavelength range of (Si)GeSn devices toward THz wavelengths will be discussed. [1] S. Wirths, et al., Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 62, 1 (2016) [2] S. Assali, et al., Appl. Phys. Lett. 112, 251903 (2018). [3] S. Assali, et al., J. Appl. Phys. 125, 025304 (2019). [4] S. Assali, et al., Appl. Phys. Lett. 114, 251907 (2019) [5] S. Assali, et al., arxiv:2004.13858

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Méthodes · Signal consensuel: aucune
Score de désaccord entre enseignants0,049
Score d'incertitude au seuil0,165

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0010,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0010,001
Science ouverte0,0000,001
Intégrité de la recherche0,0010,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0490,024

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,013
Tête enseignante GPT0,212
Écart entre enseignants0,200 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreMéthodes

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2020
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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