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Enregistrement W3134257909 · doi:10.3390/en14051500

Generalized Behavioral Modelling Methodology of Switch-Diode Cell for Power Loss Prediction in Electromagnetic Transient Simulation

2021· article· en· W3134257909 sur OpenAlexafffundabout
Yanming Xu, Carl Ngai Man Ho, Avishek Ghosh, Dharshana Muthumuni

Notice bibliographique

RevueEnergies · 2021
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSilicon Carbide Semiconductor Technologies
Établissements canadiensManitoba HydroUniversity of Manitoba
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaManitoba Hydro
Mots-clésInsulated-gate bipolar transistorTransient (computer programming)Gallium nitridePower semiconductor deviceDiodeElectronic engineeringPower electronicsTransistorSilicon carbideSwitching timeMaterials scienceSemiconductor deviceMOSFETParasitic extractionPower (physics)DatasheetBipolar junction transistorElectrical engineeringComputer scienceVoltageOptoelectronicsEngineeringPhysics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Modern wide-bandgap (WBG) devices, such as silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN) based devices, have emerged and been increasingly used in power electronics (PE) applications due to their superior switching feature. The power losses of these devices become the key of system efficiency improvement, especially for high-frequency applications. In this paper, a generalized behavioral model of a switch-diode cell (SDC) is proposed for power loss estimation in the electromagnetic transient simulation. The proposed model is developed based on the circuit level switching process analysis, which considers the effects of parasitics, the operating temperature, and the interaction of diode and switch. In addition, the transient waveforms of the SDC are simulated by the proposed model using dependent voltage and current sources with passive components. Besides, the approaches of obtaining model parameters from the datasheets are given and the modelling method is applicable to various semiconductors such Si insulated-gate bipolar transistor (IGBT), Si/SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET), and GaN devices. Further, a multi-dimensional power loss table in a wide range of operating conditions can be obtained with fast speed and reasonable accuracy. The proposed approach is implemented in PSCAD/ Electromagnetic Transients including DC, EMTDC, (v4.6, Winnipeg, MB, Canada) and further verified by the hardware setups including different daughter boards for different devices.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,118
Score d'incertitude au seuil0,626

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,054
Tête enseignante GPT0,285
Écart entre enseignants0,231 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations3
Publié2021
Routes d'admission3
Résumé présentoui

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