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Enregistrement W3176129737 · doi:10.1063/5.0055574

Impact of the channel length on molybdenum disulfide field effect transistors with hafnia-based high-<i>k</i> dielectric gate

2021· article· en· W3176129737 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.
no affAucune affiliation canadienne : ce travail est invisible pour une base fondée sur la seule affiliation.
Aucune affiliation canadienne. Une base fondée sur la seule affiliation (le devis habituel) n'aurait jamais vu ce travail. C'est l'un des travaux qui justifient l'inversion de la base.

Notice bibliographique

RevueAIP Advances · 2021
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueFerroelectric and Negative Capacitance Devices
Établissements canadiensnon disponible
Organismes subventionnairesFundamental Research Funds for the Central UniversitiesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaHigher Education Discipline Innovation Project
Mots-clésMaterials scienceField-effect transistorMolybdenum disulfideOptoelectronicsHafniaDielectricGate dielectricHysteresisTransistorThreshold voltageAnalytical Chemistry (journal)Condensed matter physicsVoltageChemistryElectrical engineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Field effect transistors (FETs) using two-dimensional molybdenum disulfide (MoS2) as the channel material has been considered one of the most potential candidates for future complementary metal-oxide-semiconductor technology with low power consumption. However, the understanding of the correlation between the device performance and material properties, particularly for devices with scaling-down channel lengths, is still insufficient. We report in this paper back-gate FETs with chemical-vapor-deposition grown and transferred MoS2 and Zr doped HfO2 ((Hf,Zr)O2, HZO) high-k dielectric gates with channel lengths ranging from 10 to 30 µm with a step of 5 µm. It has been demonstrated that channels with the length to width ratio of 0.2 lead to the most superior performance of the FETs. The MoS2/HZO hybrid FETs show a stable threshold voltage of ∼1.5 V, current on/off ratio of &amp;gt;104, and field effect mobility in excess of 0.38 cm2 V−1 s−1. The impact of the channel lengths on FET performance is analyzed and discussed in depth. A hysteresis loop has been observed in the Ids − Vgs characteristics of the hybrid FETs, which has been further studied and attributed to the charge effect at the interfaces. The HZO films show a relatively weak ferroelectric orthorhombic phase and thus serve mainly as the high-k dielectric gate. Charge trapping in the HZO layer that might induce hysteresis has been discussed. Our results show that MoS2/HZO hybrid FETs possess great potential in future low power and high-speed integrated circuits, and future work will focus on further improvement of the transistor performances using ferroelectric HZO films and the study of devices with even shorter MoS2 channels.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,848
Score d'incertitude au seuil0,579

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,001
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,003
Tête enseignante GPT0,206
Écart entre enseignants0,203 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle