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Enregistrement W3186462404 · doi:10.1149/ma2021-01321066mtgabs

(Invited) Versatile Compact Model and Evolutionary Parameter Extraction Method for Organic Thin-Film Transistors

2021· article· en· W3186462404 sur OpenAlexaffabout
A. Romero, J. A. Jiménez-Tejada, Jesús González, M. Jamal Deen

Notice bibliographique

RevueECS Meeting Abstracts · 2021
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueOrganic Electronics and Photovoltaics
Établissements canadiensMcMaster University
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésTransistorThin-film transistorMaterials scienceSchottky barrierOptoelectronicsSubthreshold conductionTransistor modelThreshold voltageContact resistanceSubthreshold slopeElectronic engineeringVoltageComputer scienceNanotechnologyElectrical engineeringEngineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Contact effects in thin-film transistors (TFTs), such as organic (OTFTs) and 2D field-effect transistors (2D-FETs), remain an important problem to be solved. The correct physio-chemical modeling of the contact regions in TFTs is necessary in order to incorporate these effects into transistor compact models [1,2]. Regarding OTFTs, much effort has been made to include contact effects into compact models, since the existence of a standard compact model, which effectively brings together the device- and system-level development, would place the OFET technology at a higher technological level [3]. In this work, we present a versatile contact model, which is incorporated into a well-known generic analytical model for the current-voltage (I-V) characteristics of OTFTs, valid for all the operation regions of the transistor, including the subthreshold region [4,5]. The resulting model is complemented with an evolutionary procedure to extract the parameters that best fit experimental current-voltage characteristics [6]. Our motivation is that the combined compact model and parameter extraction method fulfils the conditions for this long expected standard compact model. The versatility of our proposal is based on the following pillars: (i) the contact model must reproduce linear, space-charge-limited and Schottky-barrier contacts [7]; and (ii) the contact model must be applied both, in transistors in which the source contact region is dominant (observed in many OTFTs), and in transistors in which drain and source contacts contribute in a similar way (mainly observed in some staggered OTFTs and 2D-FETs). In this work, we give details of how the compact model, including the contact effects, has been built from its origins [8] up to now. We also describe how the evolutionary procedure is adapted to extract the model parameters of different OTFTs, in which only the source contact, or both source and drain contact effects, limit the device performance [6, 7, 9]. Finally, the compact model including contact effects and the extraction procedure mentioned above are tested successfully with coplanar and staggered OTFTs (with and without negligible drain contact effects). Our numerical calculations reproduce quite well the experimental electrical characteristics and the model parameters are extracted. The comparison of our results with other methods designed for specific TFTs confirms the validity of our standard compact model for TFTs with contact effects. Acknowledgments This work was partially financed by the Consejería de Economía y Conocimiento de la Junta de Andalucía, the Spanish “Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades”, and the European Regional Development Funds (ERDF), under projects A-TIC-117-UGR18 and PGC2018-098813-B-C31. References [1] Z. Xie, M.S.A. Abdou, X. Lu, M.J. Deen, S. Holdcroft, Electrical characteristics and photolytic tuning of poly (3-hexylthiophene) thin film metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MISFETs), Canadian Journal of Physics 70 (10-11), 1171-1177, 1992. [2] O. Marinov, M.J. Deen, J.A. Jiménez-Tejada, C.H. Chen, Variable-range hopping charge transport in organic thin-film transistors, Physics Reports 844, 1-105, 2020 [3] S. Jung, Y. Bonnassieux, G. Horowitz, S. Jung, B. Iniguez, and C-H. Kim. Advances in compact modeling of organic field-effect transistors. IEEE J. Electron Dev. Soc., pages 1-1, 2020. [4] O. Marinov, M. J. Deen, U. Zschieschang, and H. Klauk. Organic Thin-Film Transistors: Part I-Compact DC Modeling. IEEE Trans. Electron Devices, 56:2952-2961, 2009. [5] M.J. Deen, O. Marinov, U. Zschieschang, H. Klauk, Organic thin-film transistors: Part II—Parameter extraction IEEE Trans. Electron Devices, 56 (12), 2962-2968, 2009. [6] A. Romero, J. González, R. Picos, M. J. Deen, and J. A. Jiménez-Tejada. Evolutionary parameter extraction for an organic TFT compact model including contact effects. Org. Electron., 61:242-253, 2018. [7] A. Romero, J. González, M.J. Deen, and J.A. Jiménez-Tejada. Versatile model for the contact region of organic thin-film transistors. Organic Electronics, 77:105523, feb 2020. [8] J. A. Jiménez Tejada, J. A. López Villanueva, P. López Varo, K. M. Awawdeh, and M. J. Deen. Compact modeling and contact effects in thin film transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 61(2):266-277, feb 2014. [9] A. Romero, J.A. Jiménez-Tejada, and M.J. Deen. Unified electrical model for the contact regions of staggered thin film transistors. Manuscript submitted for publication, 2021.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Simulation ou modélisation · Signal consensuel: Simulation ou modélisation
GenreSignal candidat: Méthodes · Signal consensuel: Méthodes
Score de désaccord entre enseignants0,003
Score d'incertitude au seuil0,011

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,001
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,001
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0010,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0030,001

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,015
Tête enseignante GPT0,244
Écart entre enseignants0,229 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeSimulation ou modélisation
Domainenon disponible
GenreMéthodes

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2021
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