A dual-gate and Γ-type field plate GaN base E-HEMT with high breakdown voltage on simulation investigation
Pourquoi ce travail est dans la base
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Notice bibliographique
Résumé
Abstract This paper proposes to insert a buried P-type gate (BPT gate) under the channel layer of the recessed MIS-high electron mobility transistor (HEMT) to form a dual-gate HEMT. And through simulation calculation, the device performance is calculated and the working mechanism of the BPT gate is explained in detail. Compared with a conventional AlGaN/AlN/GaN HEMT and a gate-recessed MIS-HEMT, the dual-gate HEMT has a higher breakdown voltage (1126 V) and a larger threshold voltage (1.5 V). The results show that inserting a BPT gate in a gate-recessed MIS-HEMT can increase the threshold voltage and improve the breakdown characteristics. Through the optimization of the device structure, it is found that the combination of the MIS-gate and the Γ-type field plate based on the dual-gate device can obtain a higher breakdown voltage. Its breakdown voltage can reach 3041 V, and the figure of merit is as high as 3.56 GW cm −2 . This reveals that the combination of dual-gate and Γ-type field plate has great potential in the manufacture of enhancement-mode and high-voltage power transistors.
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Prédiction distillée sur la base complète
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Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,001 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
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