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Enregistrement W4200470052 · doi:10.1002/aelm.202101018

Depth Gradient Reduced Graphene Oxide Layer via Intense Pulsed Light Annealing Process for the Flexible Resistive Random Access Memory Device

2021· article· en· W4200470052 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.

Notice bibliographique

RevueAdvanced Electronic Materials · 2021
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueAdvanced Memory and Neural Computing
Établissements canadiensUniversity of Calgary
Organismes subventionnairesKorea Evaluation Institute of Industrial TechnologyMinistry of Trade, Industry and Energy
Mots-clésMaterials scienceResistive random-access memoryOptoelectronicsGrapheneElectrodeX-ray photoelectron spectroscopyAnnealing (glass)OxideLayer (electronics)NanotechnologyComposite materialChemical engineering

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Abstract In this study, an intense pulsed light (IPL) is irradiated for reducing graphene oxide (GO) to form a flexible resistive random access memory (ReRAM). The reduced‐GO (r‐GO) thin semiconductor layer is coated using spin coating method with distilled‐water and ethanol‐based solution on the flexible bottom electrode (Cu). The irradiation conditions are optimized to obtain high retention and switching characteristics. A top electrode (Al) is formed by deposition process and the electrical characteristics of the ReRAM are measured using a parameter analyzer. The optimally reduced GO‐based ReRAM shows write‐once read‐many times (WORM) characteristics and high electrical performances such as on/off ratio (≈10 3 ), operation voltage (−4.2–4.5 V), and excellent retention properties (retention time: 10 8 ). The effect of the IPL annealing on GO layer is analyzed using X‐ray photoelectron spectroscopy (XPS) and transmission electron microscope (TEM). In the analysis results, the depth gradient reduced GO layer is clearly observed. In addition, the switching mechanism of ReRAM is investigated using energy band diagram of ReRAM structure(Cu/GO/r‐GO/Al). This ReRAM device fabricated on flexible substrate (PI substrate) does not show the degradation in switching characteristics even after bending the substrate in 1000 times with a 5 mm bending radius, demonstrating excellent mechanical endurance of ReRAM device.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,116
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,025
Tête enseignante GPT0,302
Écart entre enseignants0,277 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle