A cost-effective technology to improve power performance of nanoribbons GaN HEMTs
Notice bibliographique
Résumé
A cost-effective fabrication process is developed to improve the power performance of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs). This process uses nitrogen ion (N+) implantation to form multiple parallel nanoribbons on AlGaN/GaN heterostructures, with a thin buffer layer (AlGaN/GaN NR-HEMTs). The stopping and range of ions in matter simulations of the N+ implantation combined with measured current-field characteristics reveal a good electrical isolation beneath the two-dimensional electron gas, resulting in substantial increase in the breakdown field of the NR-HEMTs, when compared to conventional AlGaN/GaN HEMTs. The fabricated AlGaN/GaN NR-HEMTs performed (i) an ON/OFF current ratio more than two orders of magnitude larger and (ii) a buffer leakage current more than one order of magnitude weaker than that of the conventional AlGaN/GaN HEMTs. The on-resistance, RON, and series resistance, RS, of AlGaN/GaN NR-HEMTs are both reduced by one order of magnitude when compared to those of the conventional AlGaN/GaN HEMTs. These have boosted the drive current density by up to 435%. Furthermore, we have found that the architecture of the AlGaN/GaN NR-HEMTs reduces the destructive impact of electron traps in the device. An optimized AlGaN/GaN NR-HEMT exhibited a better electrostatic integrity, a subthreshold slope of ∼210 mV/dec instead of 730 mV/dec for a conventional GaN HEMT. A higher linearity in the transconductance, gm, of NR-HEMTs is observed, twice of that of a conventional GaN HEMT. These results demonstrate the great interest of developed process technology of NR-HEMTs for high-power switching applications.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,000 | 0,000 |
| Bibliométrie | 0,000 | 0,000 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,000 | 0,000 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,000 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,000 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».