MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W4284884682 · doi:10.1063/5.0097963

Increasing the mobility and power-electronics figure of merit of AlGaN with atomically thin AlN/GaN digital-alloy superlattices

2022· article· en· W4284884682 sur OpenAlexfundno aff
Nick Pant, Woncheol Lee, Nocona Sanders, Emmanouil Kioupakis

Notice bibliographique

RevueApplied Physics Letters · 2022
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueGaN-based semiconductor devices and materials
Établissements canadiensnon disponible
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaOffice of ScienceBasic Energy SciencesNational Energy Research Scientific Computing CenterU.S. Department of Energy
Mots-clésFigure of meritMaterials scienceSuperlatticeElectron mobilityCondensed matter physicsOptoelectronicsThin filmBand gapDielectricDopingWide-bandgap semiconductorSemiconductorNanotechnologyPhysics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Alloy scattering in random AlGaN alloys drastically reduces the electron mobility and, therefore, the power-electronics figure of merit. As a result, Al compositions greater than 75% are required to obtain even a twofold increase in the Baliga figure of merit compared to GaN. However, beyond approximately 80% Al composition, donors in AlGaN undergo the DX transition, which makes impurity doping increasingly more difficult. Moreover, the contact resistance increases exponentially with the increase in Al content, and integration with dielectrics becomes difficult due to the upward shift of the conduction band. Atomically thin superlattices of AlN and GaN, also known as digital alloys, are known to grow experimentally under appropriate growth conditions. These chemically ordered nanostructures could offer significantly enhanced figure of merit compared to their random alloy counterparts due to the absence of alloy scattering, as well as better integration with contact metals and dielectrics. In this work, we investigate the electronic structure and phonon-limited electron mobility of atomically thin AlN/GaN digital-alloy superlattices using first-principles calculations based on density-functional and many-body perturbation theory. The bandgap of the atomically thin superlattices reaches 4.8 eV, and the in-plane (out-of-plane) mobility is 369 (452) cm2 V−1 s−1. Using the modified Baliga figure of merit that accounts for the dopant ionization energy, we demonstrate that atomically thin AlN/GaN superlattices with a monolayer sublattice periodicity have the highest modified Baliga figure of merit among several technologically relevant ultra-wide bandgap materials, including random AlGaN, β-Ga2O3, cBN, and diamond.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,014
Score d'incertitude au seuil0,598

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,006
Tête enseignante GPT0,197
Écart entre enseignants0,191 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations17
Publié2022
Routes d'admission1
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueApplied Physics LettersMême sujetGaN-based semiconductor devices and materialsTravaux en français237 207