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Enregistrement W4297310199 · doi:10.1109/led.2022.3210005

A Gate-All-Around inO Nanoribbon FET With Near 20 mA/m Drain Current<sub/> <sub/> <sub/>

2022· article· en· W4297310199 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueIEEE Electron Device Letters · 2022
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensDalhousie University
Organismes subventionnairesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaCompute CanadaAir Force Office of Scientific ResearchSemiconductor Research Corporation
Mots-clésMaterials scienceOptoelectronicsIndiumGate oxideOxideSemiconductorCurrent (fluid)DielectricMOSFETGate dielectricGallium arsenideLayer (electronics)Atomic layer depositionNanotechnologyElectrical engineeringTransistorVoltage

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

In this work, we demonstrate atomic-layer-deposited (ALD) single-channel indium oxide (In2O3) gate-all-around (GAA) nanoribbon field-effect transistors (FETs) in a back-end-of-line (BEOL) compatible process. A maximum on-state current (ION) of 19.3 mA/ <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$\mu \text{m}$ </tex-math></inline-formula> (near 20 mA/ <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$\mu \text{m}$ </tex-math></inline-formula> ) and an on/off ratio of 106 are achieved in an In2O3 GAA nanoribbon FET with a channel thickness (TIO) of 3.1 nm, channel length (Lch) of 40 nm, channel width (Wch) of 30 nm and dielectric HfO2 of 5 nm. Short-pulse measurements are applied to mitigate the self-heating effect induced by the ultra-high drain current flowing in the ultra-thin channel layer. The record high drain current obtained from an In2O3 FET is about one order of magnitude higher than any conventional single-channel semiconductor FETs. This extraordinary drain current and its related on-state performance demonstrate that ALD In2O3 is a promising oxide semiconductor channel with great opportunities in BEOL compatible monolithic 3D integration.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,112
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0010,001
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0000,001
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,010
Tête enseignante GPT0,211
Écart entre enseignants0,201 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle