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Enregistrement W4309814885 · doi:10.1149/ma2022-02351282mtgabs

Process Development of Amorphous Indium Tin Gallium Oxide (ITGO) Thin Film Transistors

2022· article· en· W4309814885 sur OpenAlexaff
Eli Powell, Muhammad Salahuddin Kabir, Bin Zhu, Robert G. Manley, Karl D. Hirschman

Notice bibliographique

RevueECS Meeting Abstracts · 2022
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueThin-Film Transistor Technologies
Établissements canadiensResearch & Development Corporation
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésThin-film transistorMaterials scienceOptoelectronicsAmorphous solidSubthreshold slopeOxide thin-film transistorIndium tin oxideTransistorWaferThreshold voltageThin filmNanotechnologyElectrical engineeringLayer (electronics)VoltageChemistry

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

The invention of portable electronic devices had a huge impact on the growing interest in flat panel displays. Since the first report in 2004 on amorphous Indium Gallium Zinc Oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs), many companies have become interested in this material. The main advantage of a-IGZO over conventional amorphous silicon TFTs is its steep subthreshold, low off state current, and high channel mobility. However, the demand for larger displays with higher resolution and refresh rates is driving the demand for TFTs with higher performance, while avoiding the cost and complexity associated with low temperature polycrystalline silicon. There is an increased focus on alternative amorphous oxide semiconductors for use as TFT channel materials, due to the success of a-IGZO. The focus of this study is an investigation on Indium-Tin-Gallium-Oxide (ITGO) TFTs. Unpassivated bottom-gate devices were fabricated with a 30nm a-ITGO film, sputter deposited with 1% and 10% oxygen gas ambient, followed by a 2 hour anneal at 300 o C in oxygen. Devices fabricated with P O2 = 1% resulted in a highly conductive channel. Devices with P O2 = 10% displayed semiconducting behavior and a shallow subthreshold. This trend held for all device dimensions tested; lengths of 24µm, 12µm, and 6µm with a width of 24µm. Compared to a-IGZO devices with a length of 4µm, ITGO devices with a length of 12µm exhibit an equivalent current drive, implying a 3 to 4 times improvement in mobility. Following aging in room ambient for multiple days, a-ITGO devices displayed improved yet left-shifted transfer characteristics. In unpassivated a-IGZO devices, similar behavior can also be observed and is attributed to an inhomogeneous trap distribution across the channel. As the exposed channel reacts with room air, oxygen vacancies are filled resulting in a more homogeneous trap distribution. A radial variation of device performance from the center of the wafer to the edge was also observed. When measuring devices towards the edge of the wafer a considerable left shift in transfer characteristics was observed. This variation in device performance is believed to be attributed to non-uniformities in the as deposited ITGO film and will be related to material optical parameters. Figure 1

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,001
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict)
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,863
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0010,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,012
Tête enseignante GPT0,205
Écart entre enseignants0,194 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2022
Routes d'admission1
Résumé présentoui

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