MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W4362737020 · doi:10.1021/acs.cgd.3c00162

Direct Observation of Al Migration Enhancement by Changing the Al and N Source Relative Position in the Molecular Beam Epitaxy of AlGaN Nanowires

2023· article· en· W4362737020 sur OpenAlexafffund
Mohammad Fazel Vafadar, Qihua Zhang, Songrui Zhao

Notice bibliographique

RevueCrystal Growth & Design · 2023
Typearticle
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueGaN-based semiconductor devices and materials
Établissements canadiensMcGill University
Organismes subventionnairesFonds de recherche du Québec – Nature et technologiesNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésMolecular beam epitaxyMaterials scienceNanowireOptoelectronicsNitrideLight-emitting diodeSubstrate (aquarium)SemiconductorEpitaxyPhotonicsDiodeElectron mobilityNanotechnologyLayer (electronics)

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Aluminum (Al)-containing nitrides, including AlN, AlScN, and AlGaN, are emerging material platforms for future-generation photonic, electronic, ferroelectric, and multifunctional semiconductor devices. Nonetheless, the low Al migration mobility in a nitrogen environment is a notorious hindrance to obtaining high-quality Al-containing nitride epilayers. This is particularly the case for the epitaxy of Al-containing nitrides with radio frequency (RF) plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE), due to the use of relatively low substrate temperatures. As such, various approaches have been employed in promoting Al migration such as metal-modulated epitaxy (MME). Despite the progress, the effect of the relative position of the Al and N sources on the Al migration mobility has remained unclear. In this study, we show that MBE-grown AlGaN nanowires can be an effective probe to examine the effect of the Al and N source relative position on the Al migration mobility and demonstrate clearly that Al adatoms appear to be more mobile from the Al source that is far away from the N source, compared to those from the Al source that is near the N source. This study therefore can potentially impact the development of emerging Al-containing semiconductor devices by MBE. Moreover, the demonstrated correlated Al source dependent morphological and optical properties of AlGaN nanowires can naturally help the development of AlGaN-nanowire-based UV light-emitting diodes (LEDs) and lasers.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,001
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,021
Score d'incertitude au seuil0,257

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0010,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,016
Tête enseignante GPT0,232
Écart entre enseignants0,216 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations9
Publié2023
Routes d'admission2
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueCrystal Growth & DesignMême sujetGaN-based semiconductor devices and materialsTravaux en français237 207