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Enregistrement W4399281174 · doi:10.1038/s41598-024-63354-8

A resilient type-III broken gap Ga2O3/SiC van der Waals heterogeneous bilayer with band-to-band tunneling effect and tunable electronic property

2024· article· en· W4399281174 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.

Notice bibliographique

RevueScientific Reports · 2024
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueGa2O3 and related materials
Établissements canadiensUniversity of Ottawa
Organismes subventionnairesNational Science Foundation
Mots-clésElectric fieldQuantum tunnellingHeterojunctionMaterials sciencevan der Waals forceCondensed matter physicsBand gapBilayerOptoelectronicsNanotechnologyPhysicsChemistryQuantum mechanics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Abstract The potential of van der Waals (vdW) heterostructure to incorporate the outstanding features of stacked materials to meet a variety of application requirements has drawn considerable attention. Due to the unique quantum tunneling mechanisms, a type-III broken-gap obtained from vdW heterostructure is a promising design strategy for tunneling field-effect transistors. Herein, a unique Ga 2 O 3 /SiC vdW bilayer heterostructure with inherent type-III broken gap band alignment has been revealed through first-principles calculation. The underlying physical mechanism to form the broken gap band alignment is thoroughly studied. Due to the overlapping band structures, a tunneling window of 0.609 eV has been created, which enables the charges to tunnel from the VBM of the SiC layer to the CBM of the Ga 2 O 3 layer and fulfills the required condition for band-to-band tunneling. External electric field and strain can be applied to tailor the electronic behavior of the bilayer heterostructure. Positive external electric field and compressive vertical strain enlarge the tunneling window and enhance the band-to-band tunneling (BTBT) scheme while negative electric field and tensile vertical strain shorten the BTBT window. Under external electric field as well as vertical and biaxial strain, the Ga 2 O 3 /SiC vdW hetero-bilayer maintains the type-III band alignment, revealing its capability to tolerate the external electric field and strain with resilience. All these results provide a compelling platform of the Ga 2 O 3 /SiC vdW bilayer to design high performance tunneling field effect transistor.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,003
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesCommunication savante
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,034
Score d'incertitude au seuil0,999

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0030,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,001
Études des sciences et des technologies0,0010,000
Communication savante0,0020,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,009
Tête enseignante GPT0,236
Écart entre enseignants0,227 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle