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Enregistrement W4403891633 · doi:10.1002/smsc.202400398

Low Hysteresis Vanadium Dioxide Integrated on Silicon Using Complementary Metal‐Oxide Semiconductor Compatible Oxide Buffer Layer

2024· article· en· W4403891633 sur OpenAlex

Pourquoi ce travail est dans la base

Une base qui oublie comment elle a trouvé un travail ne peut pas être vérifiée. Voici les voies qui ont admis celui-ci.

affAu moins un auteur déclare une institution canadienne dans l'instantané OpenAlex épinglé.
fundUn bailleur canadien est enregistré sur le travail.

Notice bibliographique

RevueSmall Science · 2024
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueTransition Metal Oxide Nanomaterials
Établissements canadiensInstitut interdisciplinaire d'innovation technologiqueUniversité de Sherbrooke
Organismes subventionnairesInstitut National des Sciences Appliquées de LyonCentre National de la Recherche ScientifiqueFonds de recherche du Québec – Nature et technologiesUniversité Grenoble AlpesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaUniversité de SherbrookeMitacsIndian National Science Academy
Mots-clésMaterials scienceSiliconOxideSemiconductorHysteresisMicroelectronicsThin filmOptoelectronicsAnalytical Chemistry (journal)NanotechnologyCondensed matter physicsChemistryMetallurgy

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

VO 2 undergoes a metal‐insulator transition (MIT) at ≈70 °C, which induces large variations in its electrical and wavelength‐dependent optical properties. These features make VO 2 a highly sought‐after compound for optical, thermal, and neuromorphic applications. To foster the development of VO 2 ‐based devices for the microelectronic industry, it is also imperative to integrate VO 2 on silicon. However, high lattice mismatch and the formation of silicates at the interface between VO 2 and Si degrade the quality and functionality of VO 2 films. Moreover, VO 2 's polymorphic nature and stable VO phases pose integration issues. To address these challenges, the MIT of VO 2 thin films integrated on Si with a complementary metal‐oxide semiconductor‐compatible Hf x Zr 1− x O 2 (HZO) buffer layer is investigated. Using in situ high‐resolution X‐ray diffraction and synchrotron far‐infrared spectroscopy, combined with multiscale atomic and electronic structure characterizations, it is demonstrated that VO 2 on the HZO buffer layer exhibits an unusually low thermal hysteresis of ≈4 °C. In these results, the influence of strain on M2 phase nucleation, which controls the hysteresis, is unraveled. Notably, the rate of phase transition is symmetric and does not change for the heating and cooling cycles, implying no incorporation of defects during cycling, and highlighting the potential of an HZO buffer layer for reliable operation of VO 2 ‐based devices.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,002
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict), Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)
Catégories consensuellesCharge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,008
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0020,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0010,001
Études des sciences et des technologies0,0000,001
Communication savante0,0010,001
Science ouverte0,0010,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0020,001

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,061
Tête enseignante GPT0,295
Écart entre enseignants0,233 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle