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Enregistrement W4403891633 · doi:10.1002/smsc.202400398

Low Hysteresis Vanadium Dioxide Integrated on Silicon Using Complementary Metal‐Oxide Semiconductor Compatible Oxide Buffer Layer

2024· article· en· W4403891633 sur OpenAlexafffund
Swayam Sahoo, Matthieu Bugnet, I. C. Infante, Victor Pierron, Laurence Méchin, Rebecca Cervasio, Pierre Hemme, Jean‐Blaise Brubach, Pascale Le Roy, Luc G. Fréchette, Anne Lamirand, Bertrand Vilquin

Notice bibliographique

RevueSmall Science · 2024
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueTransition Metal Oxide Nanomaterials
Établissements canadiensInstitut interdisciplinaire d'innovation technologiqueUniversité de Sherbrooke
Organismes subventionnairesInstitut National des Sciences Appliquées de LyonCentre National de la Recherche ScientifiqueFonds de recherche du Québec – Nature et technologiesUniversité Grenoble AlpesNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaUniversité de SherbrookeMitacsIndian National Science Academy
Mots-clésMaterials scienceSiliconOxideSemiconductorHysteresisMicroelectronicsThin filmOptoelectronicsAnalytical Chemistry (journal)NanotechnologyCondensed matter physicsChemistryMetallurgy

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

VO2 undergoes a metal‐insulator transition (MIT) at ≈70 °C, which induces large variations in its electrical and wavelength‐dependent optical properties. These features make VO2 a highly sought‐after compound for optical, thermal, and neuromorphic applications. To foster the development of VO2‐based devices for the microelectronic industry, it is also imperative to integrate VO2 on silicon. However, high lattice mismatch and the formation of silicates at the interface between VO2 and Si degrade the quality and functionality of VO2 films. Moreover, VO2's polymorphic nature and stable VO phases pose integration issues. To address these challenges, the MIT of VO2 thin films integrated on Si with a complementary metal‐oxide semiconductor‐compatible HfxZr1−xO2 (HZO) buffer layer is investigated. Using in situ high‐resolution X‐ray diffraction and synchrotron far‐infrared spectroscopy, combined with multiscale atomic and electronic structure characterizations, it is demonstrated that VO2 on the HZO buffer layer exhibits an unusually low thermal hysteresis of ≈4 °C. In these results, the influence of strain on M2 phase nucleation, which controls the hysteresis, is unraveled. Notably, the rate of phase transition is symmetric and does not change for the heating and cooling cycles, implying no incorporation of defects during cycling, and highlighting the potential of an HZO buffer layer for reliable operation of VO2‐based devices.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,001
Score d'incertitude au seuil0,002

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,061
Tête enseignante GPT0,295
Écart entre enseignants0,233 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations1
Publié2024
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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