Device-Circuit Performance Analysis of a High-VT Recessed-p-Gate HEMT Employing Doped-Buried Layer
Notice bibliographique
Résumé
Nowadays, one of the appealing choice of transistors for the next generation of high power devices is, AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (AlGaN/GaN-HEMT). Prior to now, numerous experiments were conducted utilizing various gate engineering techniques to propose high threshold voltage enhancement-mode HEMT architectures. In this paper, two new e-mode HEMT structures are proposed by taking motivation from our previously reported structure of Recessed p-GaN gate HEMT. By incorporating p-doped buried layer with recessed p-GaN gate in one HEMT structure, the threshold voltage is significantly increased. In first experiment, a p-doped GaN region is buried in to the Gallium Nitride (GaN) substrate of conventional p-GaN gate HEMT. In second experiment, a p-GaN buried layer is inserted in to GaN substrate of recessed p-GaN gate HEMT. V th of above 3V is obtained from the proposed structures, which is suitable to be implemented for high-frequency power switching applications. The proposed structures provides flexibility to tune V th and I d . The digital circuit compatibility is also tested by using both the proposed structures in a resistive-load inverter circuit. The transient analysis confirms that the HEMTs work properly in inverter circuit and the VTC analysis shows 98.5% of output voltage swing at input voltage of 5V. Highest NM H and NM L is measured as 2.85V and 2.65V respectively. The device simulation, calibration and circuit simulation is done in Silvaco TCAD software.
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Comment cette classification a été obtenuedéplier
Prédiction distillée sur la base complète
Imitation des enseignantsNi prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.
Scores Codex et Gemma par catégorie
| Catégorie | Codex | Gemma |
|---|---|---|
| Métarecherche | 0,000 | 0,000 |
| Méta-épidémiologie (sens strict) | 0,001 | 0,001 |
| Méta-épidémiologie (sens large) | 0,001 | 0,001 |
| Bibliométrie | 0,001 | 0,001 |
| Études des sciences et des technologies | 0,000 | 0,000 |
| Communication savante | 0,000 | 0,000 |
| Science ouverte | 0,001 | 0,001 |
| Intégrité de la recherche | 0,000 | 0,001 |
| Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger) | 0,006 | 0,000 |
Scores machine (provisoires)
Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.
Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.
score_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découleClassification
machine, non validéePrédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.
Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».