MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W4407100875 · doi:10.1021/acs.jpcc.4c08359

Atmospheric Pressure Spatial Atomic Layer Deposition of Silicon Oxide Using DIPAS and Ozone

2025· article· en· W4407100875 sur OpenAlexafffund
Poojitha Durgamahanti, Louis‐Vincent Delumeau, Tristan Grovu, Craig A. Wheaton, Kerim Samedov, Kevin P. Musselman

Notice bibliographique

RevueThe Journal of Physical Chemistry C · 2025
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensGreenCentre CanadaNational Institute for NanotechnologyUniversity of Waterloo
Organismes subventionnairesWaterloo Institute for Nanotechnology, University of WaterlooNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésOzoneLayer (electronics)Atomic layer depositionDeposition (geology)SiliconOzone layerAtmospheric pressureMaterials scienceSilicon oxideOxideEnvironmental scienceEnvironmental chemistryMeteorologyChemistryNanotechnologyMetallurgyGeologyPhysics

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Silicon oxide (SiO x ) is a highly versatile material used in different applications. However, its conventional growth and deposition methods often require a very high temperature or the use of plasma. In this work, we present a plasma-free, low-temperature process for depositing high-quality SiO x thin films using atmospheric-pressure spatial atomic layer deposition (AP-SALD). An aminodisilane precursor, diisopropylaminosilane (SiH 3 N(C 3 H 7 ) 2, DIPAS), was synthesized and tested with different oxidants, such as ozone and 30% hydrogen peroxide aqueous solution. Initial attempts with hydrogen peroxide solution resulted in precursor condensation and the formation of nanocrystallite SiO x contaminated with organic molecules, indicating that the deposition process is oxidant-limited. In contrast, using ozone as the oxidant facilitated the deposition of high-quality amorphous SiO x films. The microstructure was highly dependent on the deposition temperature, transitioning from nanocrystallites at lower temperatures to amorphous films at temperatures of 70–100 °C. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) confirmed the deposition of SiO x films at 70 °C or above using ozone, and the growth per cycle was ∼1 Å/cycle, consistent with ALD of SiO x . This work shows that high-quality SiO x films can be produced by AP-SALD using DIPAS and ozone, without the aid of plasma or any surface functionalization, at low growth temperatures ( T ≥ 70 °C).

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,026
Score d'incertitude au seuil0,221

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,007
Tête enseignante GPT0,226
Écart entre enseignants0,219 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations2
Publié2025
Routes d'admission2
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueThe Journal of Physical Chemistry CMême sujetSemiconductor materials and devicesTravaux en français237 207