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Enregistrement W4415156412 · doi:10.1002/adma.202516133

2D Indium Oxide at the Epitaxial Graphene/SIC Interface: Synthesis, Structure, Properties, and Devices

2025· article· en· W4415156412 sur OpenAlexafffund
Furkan Türker, Bohan Xu, Chengye Dong, Michael Labella, Nadire Nayir, Natalya Sheremetyeva, Zachary J. Trdinich, D. W. Zhang, Gokay Adabasi, Bita Pourbahari, Wesley Auker, Mehmet Z. Baykara, Vincent Meunier, Nabil Bassim, Adri C. T. van Duin, Vincent H. Crespi, Joshua A. Robinson

Notice bibliographique

RevueAdvanced Materials · 2025
Typearticle
Langueen
DomaineMaterials Science
ThématiqueGraphene research and applications
Établissements canadiensMcMaster University
Organismes subventionnairesAir Force Office of Scientific ResearchNatural Sciences and Engineering Research Council of CanadaDirectorate for Mathematical and Physical SciencesCanada Foundation for Innovation
Mots-clésMonolayerSchottky barrierSchottky diodeBand gapOhmic contactRectificationEpitaxyGrapheneDiode

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Abstract Scaled and high‐quality insulators are crucial for fabricating 2D/3D hybrid vertical electronic devices such as metal‐oxide‐semiconductor (MOS) based Schottky diodes and hot electron transistors, the production of which is constrained by the scarcity of bulk layered wide bandgap semiconductors. In this research, the synthesis of a new 2D insulator, monolayer InO 2 , which differs in stoichiometry from its bulk form is presented, over a large area (>300 µm 2 ) by intercalating at the epitaxial graphene (EG)/SiC interface. By adjusting the lateral size of graphene through optical lithography prior to the intercalation, the thickness of InO 2 is tuned such that it is 85% monolayer. The preference for monolayer formation of InO 2 is explained using molecular dynamics and density functional theory (DFT) calculations. Additionally, the bandgap of InO 2 is calculated to be 4.1 eV, differing from its bulk form (2.7 eV). Furthermore, MOS‐based Schottky diode measurements on InO 2 intercalated EG/n‐SiC demonstrate that the EG/n‐SiC junction transforms from ohmic to a Schottky junction upon intercalation, with a barrier height of 0.87 eV and a rectification ratio of ≈10 5 . These findings introduce a new addition to the 2D insulator family, demonstrating the utility of monolayer InO 2 as a barrier in vertical electronic devices.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,014
Score d'incertitude au seuil0,587

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0010,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,016
Tête enseignante GPT0,274
Écart entre enseignants0,257 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2025
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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