MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W7115812063

Cobalt Germanide Contacts

2019· dissertation· en· W7115812063 sur OpenAlexaff

Notice bibliographique

RevueMacSphere (McMaster University) · 2019
Typedissertation
Langueen
DomainePhysics and Astronomy
ThématiqueSemiconductor materials and interfaces
Établissements canadiensMcMaster University
Organismes subventionnairesnon disponible
Mots-clésGermanideCobaltGermaniumOhmic contactMonoclinic crystal systemPhase (matter)Crystal (programming language)Epitaxy
DOInon disponible

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

This thesis is a sandwich thesis composed of three papers that are published in refereed journals or conferences. The first paper is a systematic experimental study conducted to identify the first phase to form during cobalt germanidation. Hexagonal β-Co5Ge3 was the first phase to form at temperatures as low as 227°C followed by monoclinic CoGe as the second phase at the same temperature. We also report for the first time that both phases that formed were highly ordered partial epitaxial crystal orientations suggesting that both of those low-temperature phases could potentially serve as high quality contacts for germanium based devices with a very low thermal budget which is advantageous for the process design. Those results contributed to a better understanding of cobalt germanidation leading to the first multiphase technology computer aided design model presented in the second paper. This kinetic model for cobalt germanide growth can predict the resulting phase based on anneal time, temperature, and ambient. The model has been calibrated to experimental results. This predictive model can help in the design of cobalt germanide contacts with low resistance and can serve as a general modeling framework for multiphase solid state reaction binary systems. A comprehensive survey of the experimental results for formation of cobalt germanides is discussed and the data are reconciled in the third paper. Factors affecting the resulting phases and their quality are identified and some optimum choices for the experimental parameters are pointed based on the survey. The role of germanium crystal orientation in ohmic and Schottky properties of the contact is analyzed. Fermi level pinning plays a role mainly on metal/(100) n-type Ge interfaces and its role is minimal on p-type Ge and other crystalline orientations. Schottky Barrier Heights for cobalt germanide contacts reported in the literature are surveyed. Crystalline cobalt germanides, forming when Co is deposited at high temperatures, are expected to have lower interface resistivities compared to those reported. The work is important because contact resistance has become one of the most important factors in advanced complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology and advanced devices already include germanium (Ge) in the source/drain regions of devices. It is also important because heating at the interface due to contact resistance is one of the key challenges in power devices and cobalt germanide can be used both for Si and Ge based devices as well as for gallium nitride (GaN) devices. The latter application is possible because cobalt germanide is lattice-matched to GaN.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesMéta-épidémiologie (sens strict), Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)
Catégories consensuellesCharge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Sans objet · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Autre · Signal consensuel: Autre
Score de désaccord entre enseignants0,888
Score d'incertitude au seuil1,000

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,000
Études des sciences et des technologies0,0000,000
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,4180,001

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,011
Tête enseignante GPT0,214
Écart entre enseignants0,202 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; les deux têtes enseignantes s’accordent sur ce qui est montré ici.

Devis d'étudeSans objet
Domainenon disponible
GenreAutre

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2019
Routes d'admission1
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueMacSphere (McMaster University)Même sujetSemiconductor materials and interfacesTravaux en français237 207