MétaCan
Menu
Retour à la cohorte
Enregistrement W179156617

SRAM in Three Dimensional Integrated Circuits

2009· article· en· W179156617 sur OpenAlexfundno aff
Negin Golshani

Notice bibliographique

RevueResearch Repository (Delft University of Technology) · 2009
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
Thématique3D IC and TSV technologies
Établissements canadiensnon disponible
Organismes subventionnairesUniversity of TorontoTechnische Universiteit Delft
Mots-clésStatic random-access memoryElectronic circuitIntegrated circuitElectronic engineeringComputer scienceProcess (computing)Process variationSense amplifierElectrical engineeringEngineeringSemiconductor memory
DOInon disponible

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

In most of the electronics and communication devices such as mobile, video phone and handheld video games low power and high density SRAM (Static Random Access Memory) is a favor. On the other hand, integration of many functions such as digital, memory, RF and analog circuits is necessary in near future. Scaling is one of the solutions to increase density of memories and functionality of integrated circuits. However, the increase of leakage current, process complexity and process variation of parameters limit scaling. This limitations force us to think about new dimension in integrated circuits. Three dimensional integrated circuits can solve some of the problems. They can give us low power, high density memories and high functionality circuits in same area of planar ICs. Different technologies can be merged in different layers of 3DIC to finally make a high performance system. In this thesis we realize SRAM cells in 3DIC to increase the capacity and performance of them. In chapter 2 we will introduce different memories and particular case SRAM. The principle of operation and design metrics are discussed in this chapter. Then in chapter 3 we talk about 3DIC and its advantages and disadvantages. Heat generation is main issue in 3DIC. New 3DIC fabrication technology called µ-Czochralski Process is introduced. Next in chapter 4 we design SRAM cells using analytic approach and we confirm the design by circuit simulation tools. Different SRAM cells and sense amplifier and output buffers are designed in this chapter. To fabricate design circuits we need layout for SRAM cells. In chapter 5 we extensively look to the design rules for SRAM circuits in one layer and two layers of silicon. Using double gate and H-Gate transistors to increase the performance of SRAM cells are discussed in this chapter. Then in chapter 6 we show fabrication process flow of one layer and two layers single grain silicon devices. Finally fabricated circuits are characterized electrically and results are reported in chapter 7.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction machine sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Le volet Gemma est une étiquette directe du modèle pour chaque travail de la base, lue sur la notice réduite au titre. Le volet Codex est un classifieur appris des 10 348 étiquettes directes de Codex et calibré sur les taux pondérés de l'échantillon; les champs sans appui suffisant ne portent aucun appel Codex. Le mode candidate est l'union des deux volets; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont pas des étiquettes humaines.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,000
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: metacan-v3-hybrid-931329e0061cStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: aucune
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: aucune
Score de désaccord entre enseignants0,006
Score d'incertitude au seuil0,021

Scores du classifieur distillé par catégorie (deux têtes)

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0000,000
Bibliométrie0,0000,001
Études des sciences et des technologies0,0000,001
Communication savante0,0010,001
Science ouverte0,0010,001
Intégrité de la recherche0,0010,001
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0060,003

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,021
Tête enseignante GPT0,238
Écart entre enseignants0,217 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule source (Gemma direct ou Codex distillé), pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations0
Publié2009
Routes d'admission1
Résumé présentoui

Explorer davantage

Même revueResearch Repository (Delft University of Technology)Même sujet3D IC and TSV technologiesTravaux en français237 207