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Enregistrement W1974608932 · doi:10.1116/1.4769259

Comparison of CuPc-based organic thin-film transistors made by different dielectric structures

2012· article· en· W1974608932 sur OpenAlexafffund
Wing Man Tang, Wai Tung Ng, Mark Greiner, Jacky Qiu, Michael G. Helander, Zheng‐Hong Lu

Notice bibliographique

RevueJournal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena · 2012
Typearticle
Langueen
DomaineEngineering
ThématiqueSemiconductor materials and devices
Établissements canadiensUniversity of Toronto
Organismes subventionnairesMajor Science and Technology Projects in Yunnan ProvinceNatural Sciences and Engineering Research Council of Canada
Mots-clésMaterials scienceGate dielectricThin-film transistorDielectricThreshold voltageGate oxideSubthreshold slopeElectrodeOptoelectronicsStress (linguistics)Subthreshold conductionTransistorLayer (electronics)VoltageComposite materialElectrical engineeringChemistry

Résumé

récupéré en direct d'OpenAlex

Copper phthalocyanine-based organic thin-film transistors (OTFTs) with gate dielectric made by different combinations of ZrO2 and Al2O3 are fabricated. Experimental results show that as compared to the OTFTs with ZrO2/Al2O3 stacked and Al2O3/ZrO2/Al2O3 sandwiched gate dielectric, the device fabricated with the Al2O3/ZrO2 stacked gate dielectric manifests better electrical properties such as larger on/off ratio, smaller subthreshold slope, and higher carrier mobility. This could be explained by the fact that Al2O3 has good interface properties with CuPc and can act as a barrier layer, which prevents intermixing of materials at the organic/insulator interface and can slow oxygen diffusion through Al-O matrix, thus suppressing interfacial trap density. The gate-bias stress effect on the performance of OTFTs is also investigated. It is found that the threshold voltage shifts toward positive direction with stress time under a negative gate bias voltage. Longer stress times cause more degradation of the subthreshold and on/off ratio, probably due to more defect-state creation in the channel and an increase of interfacial traps and oxide charges in the dielectric during stress. Results also indicate that OTFTs with Al2O3 interlayer between the high-k dielectric and the gate electrode have less degradation in subthreshold and on/off ratio after a 3600-s stress. The involved mechanism lies in that the Al2O3 interlayer at the high-k dielectric/gate electrode interface can effectively block the injection of electrons from the gate electrode into the high-k material during electrical stress and thus less stress-induced interfacial traps and negative oxide charges in the devices. The electrical characteristics of the OTFTs after the removal of gate bias for a period of time are also studied.

Récupéré en direct depuis OpenAlex et désinversé. Les résumés ne sont pas conservés dans cette base de données : les index inversés représentent 8,6 Go des 9,3 Go de texte de la base, et le serveur dispose de 13 Go libres.

Comment cette classification a été obtenuedéplier

Prédiction distillée sur la base complète

Imitation des enseignants

Ni prévalence calibrée, ni vérité terrain. Validation humaine à venir. Apprise à partir de 10 348 étiquettes directes de Codex et de 10 348 étiquettes directes de Gemma. Le mode candidate est l'union des têtes enseignantes seuillées; le consensus est leur intersection. Ces sorties portent le statut machine_predicted_unvalidated et ne sont ni des étiquettes humaines ni des étiquettes directes de modèles de pointe.

score de la tête « metaresearch » (Codex)0,001
score de la tête « metaresearch » (Gemma)0,000
Version: codex-gemma-dda1882f352aStatut de validation: machine_predicted_unvalidated
Catégories candidatesaucune
Catégories consensuellesaucune
DomaineSignal candidat: aucune · Signal consensuel: aucune
Devis d'étudeSignal candidat: Expérimental (laboratoire) · Signal consensuel: Expérimental (laboratoire)
GenreSignal candidat: Empirique · Signal consensuel: Empirique
Score de désaccord entre enseignants0,064
Score d'incertitude au seuil0,982

Scores Codex et Gemma par catégorie

CatégorieCodexGemma
Métarecherche0,0010,000
Méta-épidémiologie (sens strict)0,0000,000
Méta-épidémiologie (sens large)0,0010,000
Bibliométrie0,0010,001
Études des sciences et des technologies0,0000,001
Communication savante0,0000,000
Science ouverte0,0000,000
Intégrité de la recherche0,0000,000
Charge utile insuffisante (le modèle a refusé de juger)0,0000,000

Scores machine (provisoires)

Les deux têtes enseignantes du modèle étudiant, lues sur ce travail. Un score ordonne la base pour la relecture; il n'affirme jamais une catégorie, et le statut de validation accompagne chaque rangée tel quel.

Scores de référence d'un modèle non mature (critères de maturité non atteints, 7 itérations). Un score ordonne; il n'affirme jamais une catégorie.

Tête enseignante Opus0,014
Tête enseignante GPT0,237
Écart entre enseignants0,223 · la distance entre les deux têtes enseignantes sur ce seul travail
Statut de validationscore_only:v0-immature-baseline · tel quel depuis la passe de notation : score_only signifie que le nombre peut ordonner les travaux, et qu'aucune étiquette de catégorie n'en découle

Classification

machine, non validée

Prédiction automatique; un appel candidat d’une seule tête enseignante, pas un consensus.

Les modèles n’ont appliqué aucune catégorie : rien dans la taxonomie ne correspondait à ce travail.
Devis d'étudeExpérimental (laboratoire)
Domainenon disponible
GenreEmpirique

Le détail, modèle par modèle et score par score, se trouve en fin de page sous « Comment cette classification a été obtenue ».

En bref

Citations4
Publié2012
Routes d'admission2
Résumé présentoui

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